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方達正塬邀您出席第一屆半導體行業(yè)用陶瓷材料技術研討會

中國粉體網(wǎng)訊 隨著新能源汽車、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)的蓬勃發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大，先進陶瓷在半導體行業(yè)將迎來更大的應用市場。第一屆半導體行業(yè)用陶瓷材料技術研討會將于2022年7月13日在濟南舉辦。江蘇方達正塬電子材料科技有限公司邀請您共同出席論壇。

江蘇方達正塬電子材料科技有限公司（Foundarzy，簡稱方達正塬）是一家由南京市紫金山英才高峰計劃入選者創(chuàng)建的高技術企業(yè)。公司成立于2020年，主要從事氮化硅絕緣材料、覆銅基板等相關產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應用研究。產(chǎn)品廣泛應用于超高壓電網(wǎng)、5G/6G、穿戴式裝備、電動汽車、高鐵、飛機、雷達、航空航天、碳中和等相關設備、先進制造及大國重器之中。

公司自2021年3月投資50萬元立項研究，氮化硅陶瓷基板制備關鍵技術和裝備；組建了由院士牽頭的戰(zhàn)略專家委員會，成員由中國科學院、哈爾濱工業(yè)大學、南京大學、東南大學的教授/研究員組成；技術團隊構(gòu)建了具有國際領先水平的氮化硅陶瓷的制造工藝流程、研發(fā)了系列關鍵裝備、各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的質(zhì)量監(jiān)控與中間產(chǎn)品篩選體系，在氮化硅基板制備等方面取得重要進展，已獲得授權(quán)發(fā)明/實用新型專利10項，發(fā)表國際學術論文3篇。在審發(fā)明專利8項，實用新型專利7項。涉及到粉體攪拌、篩分、輸送、收集、平整、加溫、保溫和冷卻、粉體預處理、漿料制備、流延機、流延素坯、基板燒結(jié)、陶瓷基板、配方、燒結(jié)設備部件、在線監(jiān)測、陶瓷織構(gòu)化等，至今已提交發(fā)明專利6項，實用新型專利6項，正在實質(zhì)性審查。

產(chǎn)品展示

1.氮化硅（Si3N4）陶瓷基板

公司掌握了國內(nèi)外企業(yè)、高等院校和研究院所的先進生產(chǎn)技術和研究成果，設計了國內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線，產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測和軍方權(quán)威機構(gòu)檢測，驗證結(jié)果與國外產(chǎn)品相當，局部優(yōu)于國外產(chǎn)品。

氮化硅（Si3N4）基板與BeO、Al2O3和AlN基板相比較，具有綜合性能最佳、使用壽命最長（是AlN的15~20倍）、可靠性最好的特點，詳細如下：

絕緣性好：電阻率=1.0×1015~1016，電阻率約是BeO和AlN的10倍，Al2O3的10萬倍

導熱性強：熱導率=80-177（理論值達320），熱導率是Al2O3的3倍以上，與AlN相當，略遜于BeO

反應靈敏：介電常數(shù)=9.4，與Al2O3和AlN相當

熱穩(wěn)定：熱膨脹系數(shù)=3，遠低于BeO，比AlN低，約為Al2O3的1/3

壽命長：耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次，是AlN和Al2O3的15~20倍，大大降低設備折舊成本

抗振動：高模量、機械強度大。

BeO屬于劇毒產(chǎn)品，僅用于要求特殊的航天和導彈戰(zhàn)斗部

Al2O3和是目前價格最便宜的基板，但是其導熱性和使用壽命遠遠不能滿足第三代半導體產(chǎn)業(yè)的要求。

AlN的主要問題是價格高（與Si3N4相當）但可靠性只有Si3N4的十分之一。

Si3N4基板具有向下兼容的特點，無需驗證即可直接替代上述三種基板，不必再次驗證。

隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價格的下降，將逐步代替原來由Al2O3和AlN占據(jù)的市場份額，