孫國勝 研究員
| 專家姓名: | 孫國勝 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 研究員 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
第三代寬帶隙碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體材料工程、制造裝備與功率器件制造技術(shù) |
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| 自我介紹： | ||||
1963年7月生，1985年和1988年畢業(yè)于蘭州大學(xué)物理系并分獲理學(xué)學(xué)士和理學(xué)碩士學(xué)位，1988-1990年于西安理工大學(xué)自動化與信息工程學(xué)院電子工程系（原陜西機(jī)械學(xué)院自動化工程系）任助教，1994年畢業(yè)于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所并獲理學(xué)博士學(xué)位，同年留所從事半導(dǎo)體致冷技術(shù)的開發(fā)工作。1997-1998年在美國加州大學(xué)洛杉磯分校（UCLA）物理系做博士后研究工作。目前主要從事第三代寬帶隙SiC（碳化硅）半導(dǎo)體外延材料生長、特性表征、以及SiC功率半導(dǎo)體器件研制工作。先后參加和主持國家“863”、國家重大基礎(chǔ)研究計劃項目（973項目）、國家自然科學(xué)基金委、中國科學(xué)院重點和北京市科委等項目多項。近來，作為廣東省創(chuàng)新科研團(tuán)隊引進(jìn)項目的主要成員，與廣東省企業(yè)合作承擔(dān)了廣東省戰(zhàn)略性新型產(chǎn)業(yè)項目和東莞市重大方向性項目，開展SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化以及SiC功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)研發(fā)工作。 |
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| 所在單位: | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 | |||
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