2000年和2006年在西安電子科技大學(xué)分別獲得電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)學(xué)士學(xué)位和博士學(xué)位,博士導(dǎo)師為郝躍院士。碩士/博士生導(dǎo)師,現(xiàn)為國(guó)家級(jí)科技創(chuàng)新人才,郝躍院士寬禁帶半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)金剛石方向帶頭人。
近年來(lái)主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目,國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等多項(xiàng)國(guó)家級(jí)項(xiàng)目。發(fā)表SCI論文70余篇,授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利40余項(xiàng),獲得省部級(jí)一等獎(jiǎng)兩項(xiàng)。系統(tǒng)構(gòu)建了我國(guó)金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體核心技術(shù),研制出高性能微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備和大尺寸高質(zhì)量金剛石材料,金剛石制備技術(shù)專利ZL201710805891.1等得到轉(zhuǎn)化應(yīng)用。提出了氫終端金剛石表面電導(dǎo)輸運(yùn)理論,發(fā)現(xiàn)了制約輸運(yùn)特性的關(guān)鍵機(jī)制,促成金剛石表面電導(dǎo)近年來(lái)提升一個(gè)數(shù)量級(jí);研制出了高性能金剛石MOSFET器件,研究論文[IEEE Electron Device Lett. 38, 786;IEEE Electron Dev Lett 38 (9), 1302 (2017)]是微電子旗艦刊物IEEE Electron Device Letters對(duì)中國(guó)金剛石場(chǎng)效應(yīng)管成果的首次和第二次報(bào)道;提出了一種超高純金剛石表面終端調(diào)制輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu),研制出高性能金剛石輻射探測(cè)器,研究論文[Appl Phys Lett 116 (9), 092104 (2020); IEEE Electron Dev Lett 43 (3), 454 (2022) ]分別是這兩種期刊對(duì)中國(guó)金剛石輻射探測(cè)器研究成果的首次報(bào)道。 |