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        賽默飛(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡
        賽默飛(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡

        參考價格

        面議

        型號

        Helios 5 DualBeam FIB

        品牌

        賽默飛世爾科技

        產地

        捷克

        樣本

        暫無
        北京歐波同光學技術有限公司

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        • 探測器:

          見參數(shù)
        • 加速電壓:

          500 V – 30 kV
        • 電子槍:

          見參數(shù)
        • 電子光學放大:

          見參數(shù)
        • 光學放大:

          見參數(shù)
        • 分辨率:

          0.6 nm@15 keV、1.0 nm@1 keV
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            新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產品系列業(yè)界**的高性能成像和分析性能。它經過精心設計,可滿足材料科學研究人員和工程師對*廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是**挑戰(zhàn)性的樣品。


            Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標準:**的材料對比度,*快、*簡單、*精確的高質量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及**質量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經考驗的性能基礎上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進行了改進優(yōu)化,所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動或自動工作流程的**運行狀態(tài)。


        半導體行業(yè)技術參數(shù):



        <


        Helios 5 CXHelios 5 HPHelios 5 UXHelios 5 HXHelios 5 FX

        樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像*終樣品制備 (TEM薄片,APT)STEM 亞納米成像與樣品制備
        SEM著陸電壓20 eV~30 keV20 eV~30 keV

        分辨率

        0.6 nm@15 keV0.6 nm@2 keV


        1.0 nm@1 keV0.7 nm@1 keV



        1.0 nm@500 eV
        STEM分辨率@30 keV0.7 nm0.6 nm0.3 nm
        FIB制備過程**材料去除束流65 nA100 nA65 nA
        *終**拋光電壓2 kV500 V
        TEM樣品制備樣品厚度50 nm15 nm7 nm
        自動化
        樣品處理行程

        110×110

        ×65 mm

        110×110

        ×65 mm

        150×150

        ×10 mm

        100×100

        ×20 mm

        100×100×20mm+5軸(S)TEM Compustage
        快速進樣器手動自動手動自動自動+自動插入/提取STEM 樣品桿





        材料科學行業(yè)技術參數(shù):


        <



        Helios 5 CXHelios 5 UX
        離子光學
        具有**的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒具有**的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒
        離子束電流范圍1 pA – 100 nA1 pA – 65 nA
        加速電圧500 V – 30 kV500 V – 30 kV
        **水平視場寬度在束重合點處為0.9 mm在束重合處點為0.7 mm
        離子源壽命1,000 小時1,000 小時

        兩級差分抽吸兩級差分抽吸
        飛行時間校準飛行時間校準
        15孔光闌15孔光闌
        電子光學Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒
        磁浸沒物鏡磁浸沒物鏡
        高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流
        電子束分辨率**工作距離下0.6 nm @ 30 kV STEM0.6 nm @ 30 kV STEM
        0.6 nm @ 15 kV0.7 nm @ 1 kV
        1.0 nm @ 1 kV1.0 nm @ 500 V (ICD)
        0.9 nm @ 1 kV 減速模式*
        在束流重合點0.6 nm @ 15 kV0.6 nm @ 15 kV
        1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS*1.2 nm @ 1 kV
        電子束參數(shù)電子束流范圍0.8 pA ~ 176 nA0.8 pA ~ 100 nA
        加速電壓范圍200 V ~ 30 kV350 V ~ 30 kV
        著陸電壓20 eV ~ 30 keV20 eV ~ 30 keV
        **水平視場寬度2.3 mm @ 4 mm WD2.3 mm @ 4 mm WD
        探測器Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE)
        Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (ICD)*
        Elstar 鏡筒內 BSE 探測器 (MD)*
        樣品室內 Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD)
        紅外相機
        高性能離子轉換和電子探測器 (SE)*
        樣品室內 Nav-Cam 導航相機*
        可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器 (DBS)*
        可伸縮STEM 3+ 探測器*
        電子束流測量
        樣品臺和樣品樣品臺高度靈活的五軸電動樣品臺壓電陶瓷驅動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺
        XY110 mm150 mm
        Z65 mm10 mm
        R360° (連續(xù))360° (連續(xù))
        傾斜-15° ~ +90°-10° ~ +60°
        **樣品高度與優(yōu)中心點間隔 85 mm與優(yōu)中心點間隔 55 mm
        **樣品質量樣品臺任意位置 500 g樣品臺任意位置 500 g
         0° 傾斜時** 5 kg
        **樣品尺寸直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉時直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉時

        優(yōu)中心旋轉和傾斜優(yōu)中心旋轉和傾斜

          更易于使用:

          Helios 5 對所有經驗水平用戶而言都是*容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓可以從幾個月縮短到幾天,其系統(tǒng)設計可幫助所有操作人員在各種高級應用程序上實現(xiàn)一致、可重復的結果。


          提高了生產率:

          Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進自動化功能,增強的可靠性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。


          改善時間和結果:
          Helios 5 DualBeam 引入全新精細圖像調節(jié)功能 FLASH (閃調)技術。借助 FLASH 技術,您只需在用戶界面中進行簡單的鼠標操作,系統(tǒng)即可“實時”進行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動調整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質量并簡化高質量圖像的采集。平均而言,F(xiàn)LASH 技術可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時間*多縮短 10 倍。


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        性價比

        10分
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