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PELCO® Tripod PolisherTM 590由IBM East Fishkill實驗室的研究人員設計，以準確地制備預先指定的微米尺度區(qū)域的透射電鏡和掃描電鏡樣品。對于TEM樣品，該技術已成功地用于將離子研磨時間限制在15分鐘以內，并且在某些情況下，消除了離子研磨的需要。

盡管這項技術是為制備半導體橫截面而設計的，但它已被用于從陶瓷、復合材料、金屬和地質樣品等不同材料制備平面圖和橫截面樣品。

操作-標準法

PELCO® Tripod PolisherTM 590可制備用于掃描電鏡和透射電鏡橫截面分析的樣品。為此，在PELCO® Tripod PolisherTM 590的帶槽的L形支架上夾放一個特殊的掃描電鏡樣品座，將樣品置于其上。首先，在15μm粘合金屬的金剛石盤上進行初步研磨，再依次使用30μm到0.5μm系列尺寸的金剛石膜進行研磨和拋光，*后用二氧化硅懸浮液完成拋光過程。

在研磨過程中，通過后面的兩個千分尺調整拋光面。使用倒置顯微鏡進行定期檢查，調整拋光面，直至其與感興趣面平行。此時，可將掃描電鏡樣品座移至離子研磨機中進行快速研磨，以去除細微的劃痕、拋光碎屑，在掃描電鏡分析前得到樣品表面形貌。掃描電鏡樣品座可直接放入掃描電鏡分析。分析完成后，制作同一區(qū)域的透射電鏡樣品。從掃描電鏡樣品座上取下樣品，貼在單孔TEM柵網上。拆下帶槽的L形支架，將TEM柵網置于拋光機中心的圓形樣品支架上。使用金剛石研磨膜（Diamond Lapping Film）對樣品進行機械減薄。在此過程中，使用倒置顯微鏡定期檢查，并通過調節(jié)千分尺使拋光面處于正確位置。樣品*終拋光至1μm或更薄，然后離子研磨15分鐘。

操作-楔形法

快速離子研磨中產生的擇優(yōu)減薄和形貌使不同材料間界面的研究變得困難。可通過完全消除離子研磨步驟和采用楔形技術將樣品機械拋光到電子透明厚度來較少這些問題的發(fā)生。采用這種技術時，用Pyrex®插件替換帶槽的L型支架中的SEM樣品座，將樣品置于插頭端面上。

在得到感興趣面后，取下樣品并置于Pyrex®插件的底端。調整兩個后千分尺，，回撤近樣品的那個千分尺，以使樣品減薄至楔形。從背側對楔形樣品頂端感興趣特征區(qū)減薄，直到感興趣區(qū)邊緣厚約1μm。然后，使用拋光布（如MultiTex Cloth（產品編號816-12）和硅質懸浮液對樣品進行*后的拋光處理，直到可以看到厚度條紋（低于幾千埃）。*后將樣品從Pyrex®插件中取出，置于單孔TEM柵網上進行分析。

l適用TEM分析的精細的橫截面

l快速、可重現地制備TEM樣品

l將離子研磨時間從數小時縮短至數分鐘。

l由整個樣品可制備得到大的薄區(qū)。