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Intense**的QWI技術(shù)可以增大半導體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內(nèi)產(chǎn)生有源區(qū)和無源區(qū)，并在腔面形成一種無源吸收反射鏡（NAMs），可有效地避免其他半導體激光器件常見的光學災(zāi)變（COMD），性能更可靠穩(wěn)定。產(chǎn)品包括：高功率可見光和近紅外半導體激光器器件和陣列，可獨立尋址的半導體激光器陣列。

主要特點

·Series 7400

·635或655nm:<500mW;1.0W;2.0W

·670或690nm:<700mW;2.0W;4.0W

·可調(diào)功率、電流、溫度、波長

·特征：小型化

·應(yīng)用包括光動力療法、老年黃斑變性、脈沖光脫毛、腕管綜合癥、塑料焊接、微焊接、低溫焊接、汽車工業(yè)