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產(chǎn)品簡介 >> THz近場掃描成像系統(tǒng)原理簡介
Eachwave推出的低溫砷化鎵光電導太赫茲近場探針系列是新一代的高性能光電導型微探針，利用此太赫茲近場探針，樣品表面的近場太赫茲電場可被以被**的分辨率測量，信號質(zhì)量好，噪聲低。這些太赫茲探針可以無縫的與激發(fā)波長低于860nm的THz-TDS系統(tǒng)配合使用。THz近場探針提供了一個低成本的解決方案，可將您的THz-TDS升級為高分辨率的太赫茲近場掃描成像系統(tǒng)。
產(chǎn)品特點：
— 市場上*小的太赫茲近場探針
— **設計
— 空間分辨率可達3um
— 探測頻率范圍：0-4THz
— 適用于所有基于激光的THz系統(tǒng)
— 安裝可兼容標準的光機械組建
— 集成過載保護電路
橫向場太赫茲近場探針
橫向場太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| TeraSpike TD-800-X- | HR | HRS |
| *小空間分辨率 | 3um | 20um |
| PC gap size | 1.5um | 2um |
| 暗電流 @1V 偏置電壓 | <0.5nA | <0.5nA |
| 光電流 | >1uA | >0.6uA |
| 激發(fā)波長 | 700..860mW | |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1-4mW | |
| 接頭類型 | SMP | |
縱向場太赫茲近場探針
縱向場太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| TeraSpike TD-800- | A-500G | N |
| **空間分辨率 | 8 um | 8 um |
| PC gap size | 5 um | 2 um |
| 暗電流 @1V 偏置電壓 | <0.4 nA | <0.4 nA |
| 光電流 | >0.5 uA | >0.1 uA |
| 激發(fā)波長 | 700..860mW | |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1-4mW | |
| 接頭類型 | SMP | |
反射式太赫茲近場探針
反射式太赫茲近場探針是一款收發(fā)一體化的太赫茲近場探針產(chǎn)品。探針具有雙天線結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)極大的縮短了太赫茲的傳輸路徑，可有效的應用于太赫茲近場時域譜測試以及成像測試系統(tǒng)中。
時域譜測試
反射式太赫茲近場探針結(jié)構(gòu)
反射太赫茲近場探針測試樣例
反射式太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| 型號 | 暗電流@1V偏壓 | 光電流 | 激發(fā)波長 | 平均激發(fā)功率 | 鏈接頭 |
| TeraSpike TD-800-TR.5 | < 1.5nA | > 0.5uA | 700-860nm | 0.1-4mW | 2×SMP |
適用于1550nm波長的太赫茲近場探針
規(guī)格參數(shù)
| 型號 | 脈沖上升時間 | 帶寬 | 激發(fā)波長 | 激發(fā)功率 | 懸臂材料 |
| TeraSpike TD-1550-Y-BF | <1ps | 0.01-2.5THz | 700-1600nm | 0.1-4mW | InGaAs(n-type) |
應用案例
THz 近場探針結(jié)構(gòu)示意圖
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移動端
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