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        半導(dǎo)體級(jí)CVD單晶金剛石
        半導(dǎo)體級(jí)CVD單晶金剛石

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        型號(hào)

        半導(dǎo)體級(jí)CVD單晶金剛石

        品牌

        上海征世

        產(chǎn)地

        上海

        樣本

        暫無(wú)
        上海征世科技股份有限公司

        高級(jí)會(huì)員

        |

        第1年

        |

        生產(chǎn)商

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        目前,第四代半導(dǎo)體材料主要是以金剛石(C)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)為代表的超寬禁帶(UWBG)半導(dǎo)體材料,禁帶寬度超過(guò)4.0 eV。相對(duì)于硅材料(**代)、氮化鎵(第三代)、碳化硅(第三代)等,金剛石半導(dǎo)體材料的禁帶寬度高,**優(yōu)勢(shì)在于更高的載流子遷移率、更高的擊穿電場(chǎng)、更大的熱導(dǎo)率。金剛石具有室溫下**的熱導(dǎo)率,可以滿(mǎn)足未來(lái)大功率、強(qiáng)電場(chǎng)和抗輻射等方面的需求,是制作功率半導(dǎo)體器件的理想材料,在智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。


        飽和漂移速度 /
        (×107 cm/s)
        載流子遷移率 /
        (cm2/Vs)



        半導(dǎo)體材料禁帶寬度/eV電子空穴電子空穴擊穿場(chǎng)強(qiáng)/ (MV/cm)介電常數(shù)導(dǎo)熱率/(W/mK)
        Si1.11.10.81 5004500.311.9150
        4H-SiC3.21.91.21 0001202.59.66490
        GaN3.452.5-1 50020058.9130
        Ga2O34.92-300-89.9323
        金剛石5.472.51.44 5003 800105.72 200


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