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砷化銦InAs或銦單砷化物是由銦和砷組成的半導體。它具有灰色立方晶體的外觀，熔點為942°C。砷化銦用于構(gòu)建紅外探測器，波長范圍為1-3.8μm。探測器通常是光伏光電二極管。低溫冷卻探測器具有較低的噪聲，但InAs探測器也可用于室溫下的高功率應用。砷化銦也用于制造二極管激光器。砷化銦類似于砷化鎵，是一種直接的帶隙材料。砷化銦有時與磷化銦一起使用。與砷化鎵合金形成銦鎵砷 – 一種帶隙取決于In / Ga比的材料，這種方法主要類似于將氮化銦與氮化鎵合金化以產(chǎn)生氮化銦鎵。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知。它被廣泛用作太赫茲輻射源，因為它是一個強大的光 – 琥珀發(fā)射器。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化銦單晶片。