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一、產(chǎn)品介紹

碳化硅晶體材料是新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料,可以突破硅基半導(dǎo)體材料的理論限制,它具有熱導(dǎo)率高(硅的3倍)、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高(硅的 10 倍)、飽和電子漂移速度高(硅的2倍)、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性、與 Ga N 晶格失配小(4%)等特點(diǎn)，是新一代發(fā)光二極管(LED)襯底材料、大功率電力電子材料。

本公司生產(chǎn)的此類產(chǎn)品主要針對(duì)第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶的生長(zhǎng)需求，粒徑可實(shí)現(xiàn)百微米到毫米級(jí)精準(zhǔn)控制，產(chǎn)品純度可達(dá)6N和6.8N兩個(gè)級(jí)別，其中半絕緣型產(chǎn)品氮含量低于 0.5ppm,導(dǎo)電型產(chǎn)品氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間（<5ppm；5ppm-20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm）類型。

二、電鏡圖

三、粒度圖