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HQ graphene產(chǎn)地
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樣品名稱 進(jìn)口硒化鍺GeSe晶體 性質(zhì) 半導(dǎo)體帶隙 待實(shí)驗(yàn)確定 參數(shù) 純度：＞99.995%尺寸：:~8mm，其他尺寸可定制顏色：黑色 應(yīng)用 半導(dǎo)體電子器件，傳感器-探測(cè)器，非線性光學(xué)，STM-AFM實(shí)驗(yàn)，光學(xué)器件等研究 其他信息 詳情請(qǐng)發(fā)郵件至：mknano@*******, sale@muk*********。 單晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我們實(shí)驗(yàn)室**技術(shù)生長(zhǎng)。我們生長(zhǎng)的每塊單晶耗時(shí)3個(gè)月左右以保證我們?yōu)槟峁?*晶格的單晶。每塊單晶都是有很好的結(jié)晶性，分子層間距有較弱的范德華作用力，層狀結(jié)構(gòu)以保證易于剝離。單層GeSe具有具有很好的光學(xué)性質(zhì)，機(jī)械性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。 我們實(shí)驗(yàn)室有著進(jìn)5年的單晶生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)，每塊晶體都有很好的可重復(fù)性。單晶 GeSe塊體的尺寸可以達(dá)到10mm級(jí)別，純度可以達(dá)到99.995% 甚至更高的純度。單 晶 GeSe 沒(méi)有其他的雜相，沒(méi)有其他的非晶相。我們的GeSe單晶具有很大的晶疇，可以得到很大的單層。 另外我們還提供免費(fèi)的機(jī)械剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù)。
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11月25日，記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉，該所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)在國(guó)家重大專項(xiàng)“晶圓級(jí)石墨烯材料和器件基礎(chǔ)研究”等項(xiàng)目的支持下，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)
【科技前沿】科學(xué)家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時(shí)間：2015-11-28 點(diǎn)擊：14 屯特大學(xué)MESA+研究中心的研究者和幾個(gè)其他機(jī)構(gòu)的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料。
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼
硒化鍺單晶GeSe的工作原理介紹？硒化鍺單晶GeSe的使用方法？硒化鍺單晶GeSe多少錢一臺(tái)？硒化鍺單晶GeSe使用的注意事項(xiàng)硒化鍺單晶GeSe的說(shuō)明書有嗎？硒化鍺單晶GeSe的操作規(guī)程有嗎？硒化鍺單晶GeSe的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？硒化鍺單晶GeSe有現(xiàn)貨嗎？硒化鍺單晶GeSe包安裝嗎？
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