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        陶瓷粉體制備新技術(shù)


        來(lái)源:

        標(biāo)簽陶瓷粉體
        高純、精細(xì)陶瓷粉體材料的制備,是高科技產(chǎn)品質(zhì)量的根本保證。世界許多國(guó)家投入了大量人力物力,為發(fā)展應(yīng)用高性能陶瓷材料進(jìn)行了深入研究,取得了許多突破性進(jìn)展。如在高純、超細(xì)陶瓷粉體的合成技術(shù)、粉體的特性、粉體的處理與形狀的形成、粉體燒結(jié)行為及粉體—微觀結(jié)構(gòu)—性能問(wèn)題的關(guān)系等研究方面均取得了許多新成果,F(xiàn)主要就陶瓷粉體制備的最新技術(shù)予以介紹。

            一、溶膠—凝膠技術(shù)

            近年來(lái),該技術(shù)得到廣泛應(yīng)用,特別是在工業(yè)化生產(chǎn)方面取得了明顯進(jìn)展。如:日本利用該方法制備的氧化鋁陶瓷薄膜的厚度達(dá)到了100μm,多層條件下的抗壓強(qiáng)度高達(dá)530Mpa,燒后的陶瓷薄片幾乎完全致密、無(wú)氣孔。該技術(shù)還被用來(lái)制造多層陶瓷電容器。

            日本研究者還用該技術(shù)將氧化鋯均勻地分散于莫來(lái)石中以提高其斷裂韌性,氧化鋯的加入量限制在15vo1%以下,經(jīng)1600℃燒成后,成為充分致密的材料,室溫下抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性分別達(dá)500Mpa和4.3Mpa.m1/2。

            另外,日本某大學(xué)用表面改性技術(shù)來(lái)制備氧化鋯/氧化物復(fù)合陶瓷材料,分散的氧化物顆粒用優(yōu)先水解的烷氧基鋯涂復(fù)。這樣,在球形的硅膠顆粒上形成均勻的氧化鋯深層,燒結(jié)以后形成致密均勻的顯微結(jié)構(gòu)。

            以上介紹的溶膠—凝膠技術(shù)主要應(yīng)用于電子陶瓷粉體的制備,也有成功地應(yīng)用于批量粉料的制備。如:澳大利亞已生產(chǎn)出每批100kg的粉料,粉體的比表面積250~300m2/克,密度為2.91~3.45克/厘米2。

            二、氧化物的水熱合成

            水熱合成是一種制備超細(xì)陶瓷粉體的新技術(shù),可以單獨(dú)進(jìn)行,也可以與臨介干燥技術(shù)結(jié)合進(jìn)行粉體制備。

            德國(guó)研究者采用鋁、鈦鹽水熱結(jié)晶與共沉淀結(jié)合的方法制備出高純穩(wěn)定的鋁/鈦氧化物粉體。日本科研人員采用水熱合成于200℃,2MPa,條件下研磨混合制備BaFe6O12結(jié)晶粉體,結(jié)晶物理1000℃煅燒后,獲得具有良好磁性的BaFe6O12粉體。

            法國(guó)科研人員用兩種水熱結(jié)晶方法制備出細(xì)小的光敏Bi12GeO12粉體,一種方法是將鉍和鍺的氧化物在水中球磨研磨或氧化物在水中以1個(gè)大氣壓的條件下加熱分解;第二種方法制備的Bi12GeO20晶體在10~100℃的水中形成,粉體顆粒尺寸為5μm,添加酸性溶液或用熱水研磨,反應(yīng)速度提高。

            以色列、瑞典、荷蘭及丹麥四國(guó)科學(xué)家聯(lián)合研究以釔穩(wěn)定的氧化鋯粉體的水熱合成,制備的粉體尺寸只有10~20μm,粉體的顆粒尺寸太小,就會(huì)對(duì)熱等靜壓成型之類(lèi)的工藝產(chǎn)生不利影響,需要煅燒來(lái)增大顆粒尺寸,但這不利于形成團(tuán)聚。為解決這一矛盾,水熱合成的粉體需用超臨介干燥法進(jìn)行干燥,即將流體與沉淀物置于高壓釜中加熱到冷凝物臨介點(diǎn)的溫度和壓力以上,然后降低至常壓,以消除毛細(xì)管力的作用。要除去殘余的干燥水分,往往需要采用高溫與高壓,流態(tài)中形成的沉淀物可用甲醇進(jìn)行洗滌,使其變成漿狀物,然后在低溫條件下將有機(jī)溶劑去除。獲得的粉體經(jīng)1000℃煅煉后可達(dá)到理論密度的97.4%。采用其它反團(tuán)聚措施之后,1400℃燒結(jié)的氧化鋯粉體可達(dá)99.5%的理論密度。

            三、非氧化物的氣相合成技術(shù)

            近年來(lái),氣相合成技術(shù)有了很大發(fā)展,該技術(shù)多為連續(xù)進(jìn)行,對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行簡(jiǎn)單的純化及最大限度的混合。但是,高溫反應(yīng)易造成容器材料的腐蝕。另外,制得的粉末晶體的結(jié)晶度不好,難以壓實(shí)?蒲腥藛T在不斷對(duì)該技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)。實(shí)踐證明,氣相合成有很高的回收率。

            現(xiàn)已有多種碳還原及等離子體方法制備碳化物和氫化物粉體。如:日本研究人員用鈦和石墨為起始物,采用電弧反射加熱的碳熱還原法制備出微米尺寸的氮化鈦和碳化鈦,由于使用電孤反射爐,反應(yīng)的加熱時(shí)間大大縮短,溫度明顯降低。

            聚合物的熱分解是制備碳化物和氮化物的另一種技術(shù)。日本正在研究用聚硅烷作為制備氮化硅的前驅(qū)體,因?yàn)橛盟色@得高產(chǎn)率的陶瓷粉體,高含量的聚硅烷可使生坯密度高達(dá)理論密度的62%。該密度在聚硅烷熱解后不變化,收縮率小,機(jī)械強(qiáng)度與普通方法制備的氮化硅陶瓷相同。研究發(fā)現(xiàn),該性能取決于氮?dú)夥諚l件下的加熱溫度。

          應(yīng)用等離子體技術(shù)制備非氧化物粉體的優(yōu)點(diǎn)是:可以低溫?zé)Y(jié),而且能制備出高質(zhì)量粉體。日本采用高頻感應(yīng)產(chǎn)生的離子體直接將金屬氮化來(lái)制備氮化鋁,這種等離子焰可產(chǎn)生很高溫度,由于不用電極,從而避免了產(chǎn)出物的污染,制備出的20~90nm。超細(xì)氮化鋁粉體中的金屬雜質(zhì)小于100PPm,氧氣量小于2%。

            四、共沉淀法

          荷蘭的科研工作者采用沉淀法制備出鐵氧體粉料,他們先將鐵的氫氧化物與基液均勻混合,然后在氧/氮或硝酸鹽中氧化獲得顆粒尺寸0.03~0.33μm的粉體,具有20%的分散率。選用適當(dāng)?shù)臍溲趸锟色@得60%理論密度的生坯。用四丁基氨的氫氧化物可獲得最致密的坯體。該國(guó)科學(xué)家還利用另一種沉淀技術(shù)制備出高比表面積的活性氧化釔,借助釔離子對(duì)溶液中聚合物鰲合劑的鰲合作用形成凝膠狀的沉淀物。沉淀物的灰化溫度決定了氧化釔離子比表面積的晶體尺寸。

          德國(guó)的科學(xué)家也應(yīng)用類(lèi)似方法,從水—油乳化液中制備添加了氧化釔的球形氧化鋯,微球內(nèi)的氫氧化物沉淀用離子交換法制得。水的共沸蒸餾形成球狀非晶態(tài)顆粒,經(jīng)過(guò)過(guò)濾、干燥和煅煉后可得到尺寸為0.3~3.0μm的穩(wěn)定四方晶氧化鋯粉體。該技術(shù)可用于制造BaTiO3和超導(dǎo)氧化物粉體,它具有連續(xù)生產(chǎn)和經(jīng)濟(jì)的優(yōu)點(diǎn)。

          共沉淀法還被成功地應(yīng)用于制造半透明陶瓷。法國(guó)某公司用丁醇鋁及甲醇鹽、丁醇鹽之類(lèi)硅醇鹽迅速水解的方法來(lái)合成微細(xì)的莫來(lái)石膠體粉料,膠體結(jié)構(gòu)類(lèi)似于尖晶石,其組成式可綜合為3Al2O3·XSiO2·15H2O,壓制成半透明的生坯片,密度為1.7~2.4克/厘米3。

          西班牙科研人員制備出添加了氧化鉺的四方晶氧化鋯陶瓷粉體,采用凝膠沉淀與反聚凝相結(jié)合方法制備出的粉體顆粒,尺寸均勻,顆粒尺寸小于0.3μm,且無(wú)團(tuán)聚現(xiàn)象。在沉淀過(guò)程中,須將PH值嚴(yán)格控制在9以下,以便形成均勻的凝膠沉淀,沉淀物的煅燒溫度應(yīng)低于550℃,以保持顆粒表面活性,提高粉體燒結(jié)性能。粉體的壓制體在1400℃以下可燒結(jié)成99.8%理論密度的材料,厚度大于1mm的薄片在波長(zhǎng)為300~800nm之間的光譜內(nèi)有極好的半透明性。
            
            五、噴霧熱分解法

          日本的科研人員開(kāi)發(fā)了一種噴霧干燥/噴霧—熱分解技術(shù)來(lái)制備氧化物超導(dǎo)粉體,用作霧化的溶液有硝酸鹽、醋酸鹽、檸檬酸鹽及含有草酸鹽沉淀物的泥漿,制得的粉體顆粒尺寸0.1~1μm,組份均勻,燒結(jié)體密度可達(dá)理論密度的95~98%。法國(guó)研究人員利用超聲波霧化器在液態(tài)中將氯氧化鋯與銷(xiāo)酸釔混合,經(jīng)熱處理后制備出氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯粉體,粉體顆粒呈球形,稍帶微孔,尺寸為0.2~1.8μm。
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