據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，因應(yīng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入納米技術(shù)時(shí)代，2003年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖（ITRS）日前表示，半導(dǎo)體制程將從2年更新一代的周期延長(zhǎng)為3年更新一代；同時(shí)，由臺(tái)積電主導(dǎo)的65納米以下光罩制作“浸潤(rùn)式微影技術(shù)”（Immersion Lithography），也與無(wú)線通訊IC制程一同增列于2003年ITRS藍(lán)圖中，供全球半導(dǎo)體業(yè)遵循。

　 由歐盟、日本、韓國(guó)、美國(guó)與臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)所組成的ITRS，每年開(kāi)會(huì)提出技術(shù)藍(lán)圖修正。代表成員之一的旺宏資深副總經(jīng)理暨技術(shù)總監(jiān)盧志遠(yuǎn)表示，隨著納米技術(shù)難度提高，業(yè)者投資腳步放慢，為避免全球多數(shù)業(yè)者跟不上技術(shù)時(shí)程，導(dǎo)致被淘汰的厄運(yùn)，2003年技術(shù)藍(lán)圖確定改為每2年更新一代延長(zhǎng)為3年。

??臺(tái)積電邏輯技術(shù)發(fā)展處協(xié)理孫元成介紹該公司大力推動(dòng)的“浸潤(rùn)式微影技術(shù)”是在193納米波長(zhǎng)曝光機(jī)的基礎(chǔ)上，于光源與晶圓之間加入水，以使波長(zhǎng)縮短到132納米的微影技術(shù)，比起目前一般干式微影設(shè)備，此技術(shù)可支持65納米、45納米，甚至到32納米制程，可說(shuō)是微影技術(shù)的一大突破。

??無(wú)線通訊IC越居通訊技術(shù)主流，硅半導(dǎo)體業(yè)目前已可量產(chǎn)頻率高達(dá)5GHZ的射頻IC，硅晶圓與硅鍺晶圓（SiGe）技術(shù)兼容性高，技術(shù)可望推升到100GHZ的高水平，這次ITRS技術(shù)藍(lán)圖也首次將無(wú)線通訊IC獨(dú)立增列于其中。