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            美研究出超越現(xiàn)代硅芯片的碳納米管晶體管


            來源:癮科技

            [導讀]  日前,美國 Wisconsin-Madison 大學研究人員研究出了第一塊表現(xiàn)超越現(xiàn)代硅芯片的碳納米管晶體管,可以通過硅芯片 1.9 倍的電流,展示了碳納米管取代硅芯片的潛力。

            中國粉體網(wǎng)訊  碳納米管技術多年來一直被視為電腦芯片業(yè)界的救星,在硅芯片面臨著技術和物理瓶頸時,可以接棒繼續(xù)提高性能。然而雖然想像是美好的,但現(xiàn)實是碳納米管的高速度低能耗效果僅存在于紙面上,因為各種技術困難,而無法和發(fā)展多年的硅芯片相提并論。如今美國 Wisconsin-Madison 大學終于做出了突破,研究出了第一塊表現(xiàn)超越現(xiàn)代硅芯片的碳納米管晶體管,可以通過硅芯片 1.9 倍的電流。


            這過程相當繁復,要先挑出完美符合規(guī)范的碳納米管,再將它們在基板上照特定的順序排列成形,最后再放入真空中烘烤,把碳納米管和電極間的絕緣物質消除掉。正是因為它太過麻煩,所以雖然以研究的角度來講是個大突破,但真的要實作出完整的芯片還有不少障礙要跨越,更別說它的生產(chǎn)和硅芯片完全不同,整個量產(chǎn)流程都要重新設計。碳納米管已經(jīng)確定了有取代硅芯片的潛力,但要到實用恐怕還要不少年吧!


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