上海交通大學(xué)依托其“金屬基復(fù)合材料國家重點實驗室”的雄厚實力,積極推進電子封裝材料研究,并取得了一系列成果。
電子元器件和集成電路的封裝可以起到散發(fā)熱量、機械支持、信號傳遞和密封保護等一系列作用。這就需要電子封裝材料化學(xué)穩(wěn)定性高、導(dǎo)熱性能好、熱膨脹系數(shù)小、有較好的機械強度、便于加工、價格低廉和便于自動化生產(chǎn)等。傳統(tǒng)電子封裝材料總是無法同時兼顧以上各種性能的要求,自90年代開始新型封裝材料的研究得到大力發(fā)展,各種新材料也不斷涌現(xiàn)。
電子封裝材料的研究包括確定成型性能、加工性能、服役性能和行為與組織、成分和工藝的關(guān)系,鉆研新材料發(fā)展中關(guān)鍵基礎(chǔ)理論問題,探索適合于高質(zhì)量、低成本和規(guī)模生產(chǎn)的制作方法,逐步實現(xiàn)電子封裝材料體系、組分和工藝的計算機模擬和設(shè)計。
上海交大研制的Al/SiC復(fù)合材料具有理想的電子封裝材料特性,如與電子元件材料匹配的熱脹系數(shù),高熱導(dǎo)率以及低密度,適用于便攜或移動式的集成裝置。此外 Al/SiC價格較低,具有可凈成型的工藝特點,不需要加工或只需要少量加工。因此適用于各種形狀復(fù)雜、尺寸精密的封裝場合。而且在制備Al/SiC封裝元件的同時,可使許多不同功能特性的組件集成在一起,這就會大大減少組裝的程序,提高質(zhì)量,降低成本。目前Al/SiC封裝材料的基本性能可以在以下范圍內(nèi)調(diào)節(jié):熱膨脹系數(shù)6.5~8ppm/°C,熱導(dǎo)率120~170 w/m°C,比重≤3g/cm3。同時,還可以根據(jù)用戶的要求,制備和加工特殊形狀和特殊組裝的封裝件。此外,他們還在研制Al-Si復(fù)合材料和高導(dǎo)熱粘接劑等電子封裝材料。
電子元器件和集成電路的封裝可以起到散發(fā)熱量、機械支持、信號傳遞和密封保護等一系列作用。這就需要電子封裝材料化學(xué)穩(wěn)定性高、導(dǎo)熱性能好、熱膨脹系數(shù)小、有較好的機械強度、便于加工、價格低廉和便于自動化生產(chǎn)等。傳統(tǒng)電子封裝材料總是無法同時兼顧以上各種性能的要求,自90年代開始新型封裝材料的研究得到大力發(fā)展,各種新材料也不斷涌現(xiàn)。
電子封裝材料的研究包括確定成型性能、加工性能、服役性能和行為與組織、成分和工藝的關(guān)系,鉆研新材料發(fā)展中關(guān)鍵基礎(chǔ)理論問題,探索適合于高質(zhì)量、低成本和規(guī)模生產(chǎn)的制作方法,逐步實現(xiàn)電子封裝材料體系、組分和工藝的計算機模擬和設(shè)計。
上海交大研制的Al/SiC復(fù)合材料具有理想的電子封裝材料特性,如與電子元件材料匹配的熱脹系數(shù),高熱導(dǎo)率以及低密度,適用于便攜或移動式的集成裝置。此外 Al/SiC價格較低,具有可凈成型的工藝特點,不需要加工或只需要少量加工。因此適用于各種形狀復(fù)雜、尺寸精密的封裝場合。而且在制備Al/SiC封裝元件的同時,可使許多不同功能特性的組件集成在一起,這就會大大減少組裝的程序,提高質(zhì)量,降低成本。目前Al/SiC封裝材料的基本性能可以在以下范圍內(nèi)調(diào)節(jié):熱膨脹系數(shù)6.5~8ppm/°C,熱導(dǎo)率120~170 w/m°C,比重≤3g/cm3。同時,還可以根據(jù)用戶的要求,制備和加工特殊形狀和特殊組裝的封裝件。此外,他們還在研制Al-Si復(fù)合材料和高導(dǎo)熱粘接劑等電子封裝材料。