中國粉體網(wǎng)訊  碳化硅具有高機械強度、化學穩(wěn)定、耐一腐蝕等性能，是一種非常重要的基礎材料。而超細粉體在集成系統(tǒng)、電子技術、光子技術、精密儀器、國防工業(yè)和機械工業(yè)等多種領域里廣泛應用。在這些應用中粉末的純度直接影響最終產(chǎn)品的質量，而粉末表面各種微量雜質元素的量直接決定著粉末純度，因此建立碳化硅粉表面各種微量雜質元素量的檢測方法是很必要的。

2019年9月1日起，高純碳化硅微量元素的測定啟用新國標（GB/T37254-2018）。

高純碳化硅微量元素的測定（GB/T37254-2018）規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-OES）法和電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）法測定高純碳化硅中微量元素含量的方法。

本標準適用于碳化硅質量分數(shù)含量大于或等于99.9%的高純碳化硅材料中鋁、砷、鈣、鉻、銅、鐵、汞、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、鉛、硫、鈦、鋅等16種元素的測定。各元素的測定范圍見表1（以質量分數(shù)計）。

表1：高純碳化硅微量元素的測定（GB/T37254-2018）

附陶瓷行業(yè)其他標準的實施情況

注：信息來源中國標準服務網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/三昧）

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