中國(guó)粉體網(wǎng)訊  無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話(huà)或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。我國(guó)研究半導(dǎo)體的專(zhuān)家有哪些呢？

中國(guó)科學(xué)院：吳德馨院士

主要從事化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)晶體管和電路的研究，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、砷化鎵/銦鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管和研制成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路。

在國(guó)內(nèi)率先提出了利用MEMS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)激光器和光纖的無(wú)源耦合。并研究成功工作速率達(dá)10Gbps的光發(fā)射模塊。其中“先進(jìn)的深亞微米工藝技術(shù)及新型器件”獲2003年北京市科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)。

獨(dú)立自主開(kāi)發(fā)成功全套0.8微米CMOS工藝技術(shù)。獲1998年中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和1999年國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。作為國(guó)家攀登計(jì)劃首席科學(xué)家負(fù)責(zé)“深亞微米結(jié)構(gòu)器件及介觀(guān)物理項(xiàng)目研究。開(kāi)展了12項(xiàng)課題的研究。為介觀(guān)物理基礎(chǔ)和新結(jié)構(gòu)器件的進(jìn)一步研究打下基礎(chǔ)。

西安電子科學(xué)科技大學(xué)：郝躍教授

郝躍教授長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，是國(guó)家重大基礎(chǔ)研究(973)計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國(guó)家有突出貢獻(xiàn)的中青年專(zhuān)家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專(zhuān)家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體照明短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。

中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所：陸衛(wèi)研究員

主要研究領(lǐng)域是光電子學(xué)，半導(dǎo)體物理學(xué)和固體光譜學(xué)。研究方向?yàn)楣怆娮硬牧吓c器件及其相關(guān)凝聚態(tài)物理研究，光子晶體及其光電技術(shù)中應(yīng)用研究。SCI收錄學(xué)術(shù)論文150多篇；授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利40多項(xiàng)；出版專(zhuān)著：“半導(dǎo)體量子器件物理”。

南京大學(xué)：施毅教授

施毅教授長(zhǎng)期從事微納電子新材料、器件和物理研究，主持承擔(dān)了國(guó)家及省自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃 "973" 、博士點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)基金、霍英東教育基金和教育部跨世紀(jì)優(yōu)秀人才培養(yǎng)計(jì)劃基金等十多項(xiàng)研究課題，并作為核心成員參加了國(guó)家 "863" 、 " 攀登 " 計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)重點(diǎn)基金項(xiàng)目和多項(xiàng)部省級(jí)研究項(xiàng)目，積極跟蹤前沿，努力自主創(chuàng)新，在硅低維量子結(jié)構(gòu)及物性、納米結(jié)構(gòu)電子器件物理、異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜材料生長(zhǎng)及物性，和硅雜質(zhì)缺陷特性研究等上開(kāi)展了一系列工作，取得了有重要?jiǎng)?chuàng)新意義的研究成果。

中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所：徐科研究員

近十年來(lái)主要從事氮化物半導(dǎo)體材料和器件的外延生長(zhǎng)和物性研究，曾在非極性GaN的MOCVD外延生長(zhǎng)方面做出開(kāi)創(chuàng)工作，利用實(shí)時(shí)和原位監(jiān)控的方法系統(tǒng)研究了氮化物的MBE和MOCVD生長(zhǎng)機(jī)理、極性選擇、極性控制；闡明了極性對(duì)InN生長(zhǎng)的特殊影響，是國(guó)際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一。主要致力于極低缺陷密度氮化物材料物性和相關(guān)器件研究、納米結(jié)構(gòu)高效太陽(yáng)電池、納米表征技術(shù)的理論和實(shí)驗(yàn)研究，承擔(dān)有納米結(jié)構(gòu)高效太陽(yáng)電池973項(xiàng)目部分任務(wù)、非極性GaN襯底國(guó)家自然科學(xué)基金、蘇州市納米專(zhuān)項(xiàng)、江蘇省重大科技成果產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。發(fā)表學(xué)術(shù)論文60余篇，被引用350余次，單篇最高引用107次；在E-MRS、ISE3、MRS、ICNS等重要國(guó)際會(huì)議上做特邀報(bào)告十余次，申請(qǐng)專(zhuān)利6項(xiàng)，獲得國(guó)際專(zhuān)利一項(xiàng)。

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所宋志棠研究員

宋志棠研究員主要從事相變存儲(chǔ)材料與器件的研究。創(chuàng)建了上海微系統(tǒng)所納電子材料與器件學(xué)科。與產(chǎn)業(yè)結(jié)合，率先在國(guó)內(nèi)開(kāi)展相變存儲(chǔ)器（PCRAM）的研發(fā)，培養(yǎng)與組建了100人產(chǎn)、學(xué)、研緊密結(jié)合、高水平的研發(fā)隊(duì)伍。是國(guó)家集成電路重大專(zhuān)項(xiàng)（02專(zhuān)項(xiàng)）PCRAM項(xiàng)目和973（A類(lèi)）項(xiàng)目的首席科學(xué)家與項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，同時(shí)承擔(dān)國(guó)家先導(dǎo)、863、國(guó)際重大合作以及上海市重大等項(xiàng)目50余項(xiàng)。申請(qǐng)國(guó)家與國(guó)際發(fā)明專(zhuān)利400余項(xiàng)、在Nature Communications , Nanoscale, Scientific Reports 等國(guó)內(nèi)外知名SCI刊物上發(fā)表論文200余篇，撰有《相變存儲(chǔ)器》和《相變存儲(chǔ)器與應(yīng)用基礎(chǔ)》等專(zhuān)著。兼任全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)委員，全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)納米加工分委員會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)，中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)常務(wù)理事，中國(guó)真空學(xué)會(huì)理事，上海市真空學(xué)會(huì)常務(wù)理事。與中芯國(guó)際和Microchip聯(lián)合組建產(chǎn)學(xué)研隊(duì)伍，建立起12英寸PCRAM專(zhuān)用技術(shù)平臺(tái)，開(kāi)發(fā)出我國(guó)第一款PCRAM芯片，在中國(guó)首次將PCRAM芯片推向量產(chǎn)。

國(guó)家納米科學(xué)中心：何軍研究員

主要研究包括：低維半導(dǎo)體材料的可控生長(zhǎng)，物理性質(zhì)研究；低維半導(dǎo)體納米材料電子、光電器件研究；多元復(fù)合納米材料合成及其在能源領(lǐng)域的應(yīng)用等。已發(fā)表SCI研究論文近130多篇，論文引用超過(guò)3500次。主持和參與多項(xiàng)國(guó)家級(jí)研究項(xiàng)目，如自然科學(xué)基金項(xiàng)目，科技部重大科學(xué)研究計(jì)劃，國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃（973計(jì)劃），中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目等。

北京大學(xué)：王潤(rùn)聲副教授

主要研究方向包括微納電子新器件、可靠性與表征技術(shù)、電路-器件協(xié)同設(shè)計(jì)、新范式計(jì)算架構(gòu)與電路。已發(fā)表SCI/EI論文100余篇，應(yīng)邀作國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議特邀報(bào)告10余次。獲中國(guó)專(zhuān)利授權(quán)30余項(xiàng)、美國(guó)專(zhuān)利授權(quán)10余項(xiàng)。相關(guān)成果被列入國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)指南（ITRS）。獲2013年美國(guó)IEEE電子器件青年科學(xué)家獎(jiǎng)；獲2014年教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)；獲2015年國(guó)家自然基金委優(yōu)秀青年基金。任《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》等學(xué)術(shù)期刊編委；任IEDM、IRPS等國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議TPC委員。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所：趙麗霞研究員

主要致力于光通信用新型氮化物光電器件及可靠性方面的研究，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體照明檢測(cè)平臺(tái)并先后主持承擔(dān)科學(xué)院、科技部及國(guó)家自然科學(xué)基金委等多項(xiàng)國(guó)家科研項(xiàng)目。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文100多篇，SCI引用2300多次，申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利30多項(xiàng)，負(fù)責(zé)起草國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)5項(xiàng)。目前是中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇分會(huì)主席；全國(guó)二次離子質(zhì)譜學(xué)會(huì)議組織委員會(huì)委員；北京照明學(xué)會(huì)第八屆計(jì)量測(cè)試專(zhuān)業(yè)委員會(huì)副主任；全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)表面化學(xué)分析分技術(shù)委員會(huì)委員。

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參考來(lái)源：

百度百科、各研究所及大學(xué)官網(wǎng)

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