中國粉體網(wǎng)訊  王占國院士于1938年12月29日出生于中國河南省鎮(zhèn)平縣，是世界著名的半導(dǎo)體材料物理學(xué)家。王院士1962年畢業(yè)于南開大學(xué)物理系，并于同年到中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今。

王院士在半導(dǎo)體材料和材料物理領(lǐng)域取得了杰出的成就。在早期職業(yè)生涯中，他致力于人造衛(wèi)星用硅太陽能電池輻照效應(yīng)以及和電子材料、器件和組件的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)和核瞬態(tài)輻照效應(yīng)研究，為中國的兩彈一星事業(yè)做出了貢獻(xiàn)。

1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大學(xué)固體物理系，從事深能級(jí)物理和光譜物理研究。他和合作者一起提出了識(shí)別兩個(gè)深能級(jí)共存系統(tǒng)兩者是否是同一缺陷不同能態(tài)新方法，從而解決了長期處于爭論中的硅中金受主及金施主能級(jí)以及砷化鎵中A、B能級(jí)性質(zhì)的問題。

此外，王院士還建立了一種混晶半導(dǎo)體中深能級(jí)展寬和光譜譜線分裂的物理模型。他協(xié)助林蘭英院士首次在太空環(huán)境成功生長了砷化鎵單晶，1993年提出了砷化鎵電學(xué)補(bǔ)償五能級(jí)模型和電學(xué)補(bǔ)償新判據(jù)，不僅解釋了砷化鎵的電導(dǎo)率問題，而且為提高砷化鎵晶體質(zhì)量指出了方向。

從1993年開始，王院士及其團(tuán)隊(duì)致力于半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的生長和量子器件制備，研制成功量子級(jí)聯(lián)激光器、量子點(diǎn)激光器、量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管等。他后來提出的柔性襯底的概念為發(fā)展大晶格失配的異質(zhì)外延指出了新的方向。

王占國院士獲得了許多國家級(jí)和中國科學(xué)院的獎(jiǎng)項(xiàng)，并于1995年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。他曾擔(dān)任中國科學(xué)院信息科學(xué)部副主任、第七屆中國科學(xué)院學(xué)部主席團(tuán)成員、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長和中國材料學(xué)會(huì)副理事長等職務(wù)，先后培養(yǎng)了一百多位碩士、博士和博士后。

王占國院士在接受記者采訪時(shí)曾指出，基礎(chǔ)研究是原始創(chuàng)新的源泉，但目前我國尚未建成寬松的知識(shí)創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境，導(dǎo)致原始創(chuàng)新成果缺乏，基本上都是“跟著別人屁股后面走”。加之關(guān)鍵材料和工藝設(shè)備長期依賴進(jìn)口，所生產(chǎn)的產(chǎn)品性價(jià)比不高，缺乏市場競爭力。這是造成我國第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展緩慢的主要原因。

此外，科研機(jī)構(gòu)的成果找不到資金，而有資金的企業(yè)需要的是馬上能賺錢的成果，這是一對(duì)天然的矛盾，至今仍然沒有得到解決。這也導(dǎo)致我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尚未形成從材料、器件到整機(jī)應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，國產(chǎn)元器件性能仍不穩(wěn)定。王院士認(rèn)為，中國第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化發(fā)展機(jī)遇大于挑戰(zhàn)，只要在國家的大力支持下，科研單位和相關(guān)企業(yè)的協(xié)作攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超世界先進(jìn)水平是完全可能的。

資料來源：

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)、高科技與產(chǎn)業(yè)化。

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