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            露笑科技上半年凈利微增 下半年重點發(fā)展碳化硅項目


            來源:集微網(wǎng)

            [導讀]  8月28日,露笑科技發(fā)布半年度報告稱,公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入為11.45億元,同比下降9.10%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.51億元,同比增長3.21%。

            中國粉體網(wǎng)訊  8月28日,露笑科技發(fā)布半年度報告稱,公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入為11.45億元,同比下降9.10%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.51億元,同比增長3.21%。


            露笑科技稱,營業(yè)收入下降主要系受新冠肺炎疫情影響,傳統(tǒng)制造行業(yè)下游客戶復工復產(chǎn)緩慢,訂單量減少所致,歸屬于母公司股東凈利潤實現(xiàn)同比增長,主要系報告期內(nèi)公司光伏發(fā)電業(yè)務受疫情影響較小,持續(xù)穩(wěn)定為公司提供利潤。下半年,公司將在保持平穩(wěn)運營的前提下,積極投資布局碳化硅戰(zhàn)略興業(yè)產(chǎn)業(yè),公司已與合肥市長豐縣簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,未來公司將與合肥市長豐縣人民政府在合肥市長豐縣共同投資建設第三代功率半導體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園,項目投資總規(guī)模預計100億元。


            碳化硅是第三代化合物半導體材料。半導體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照歷史進程分為:第一代半導體材料(大部分為目前廣泛使用的高純度硅),第二代化合物半導體材料(砷化鎵、磷化銦),第三代化合物半導體材料(碳化硅、氮化鎵)。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能:高禁帶寬度(對應高擊穿電場和高功率密度)、高電導率、高熱導率,將是未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。


            碳化硅晶片經(jīng)外延生長后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。以碳化硅晶片為襯底制造的半導體器件具備高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優(yōu)點,可廣泛應用于新能源汽車、5G 通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領域,在我國“新基建”的各主要領域中發(fā)揮重要作用。


            碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求,在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域具有明顯優(yōu)勢。經(jīng)過近30年研究和開發(fā),碳化硅襯底和功率器件制造技術在近年逐步成熟,并快速推廣應用,正在掀起一場節(jié)能減排和新能源領域的巨大變革。


            伴隨新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件的使用需求大幅增加。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù),2018 年全球功率器件的銷售額增長率為 14%,達到 163 億美元。未來,隨著碳化硅和氮化鎵功率器件的加速發(fā)展,全球功率器件的銷售額預計將持續(xù)保持增長。


            射頻功率器件為碳化硅材料應用的另一重要領域。隨著全球 5G 通訊技術的發(fā)展和推廣,5G 基站建設將為射頻器件帶來新的增長動力。據(jù)Yole Development 預測,2025年全球射頻器件市場將超過250 億美元,其中射頻功率放大器市場規(guī)模將從 2018 年的 60 億美元增長到2025 年的 104 億美元,而氮化鎵射頻器件在功率放大器中的滲透率將持續(xù)提高。隨著5G 市場對碳化硅基氮化鎵器件需求的增長,半絕緣型碳化硅晶片的需求量也將大幅增長。


            碳化硅基氮化鎵外延射頻功率器件市場規(guī)?焖僭鲩L。根據(jù) Yole 和CREE 預測,受益 5G 的普及與 5G 基站的建設,碳化硅基氮化鎵外延功率器件市場規(guī)模將從 2018 年 6.45 億美金增長到 2024 年的 20 億美金,年均復合增速達 20.76%, 2027年市場規(guī)模有望達到35億美金。


            (中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末)

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