中國粉體網(wǎng)訊  4月25日，國務(wù)院國資委在第四屆數(shù)字中國建設(shè)峰會(huì)上發(fā)布了十項(xiàng)國有企業(yè)數(shù)字技術(shù)成果。中國電科碳化硅MOSFET電力電子器件榜上有名。

碳化硅MOSFET是面向綠色環(huán)保、節(jié)能減排應(yīng)用需求的電能轉(zhuǎn)換核心器件。

作為寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室依托單位，中國電科國基南方WM1A系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品對(duì)標(biāo)國際先進(jìn)，突破了低損傷高溫高能離子注入及激活技術(shù)、高遷移率高可靠柵氧化技術(shù)、激光退火薄片工藝等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，填補(bǔ)國內(nèi)多項(xiàng)技術(shù)空白，在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)六英寸碳化硅MOSFET晶圓批產(chǎn)，建立材料外延、芯片制造、模塊封裝產(chǎn)業(yè)鏈布局，形成650V-6500V系列產(chǎn)品。

最新研制的6500V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，作為寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有大功率、低損耗、耐高溫等特點(diǎn)，可應(yīng)用于高壓輸變電領(lǐng)域，顯著提升功率轉(zhuǎn)換效率，大幅減少功率裝置的體積和重量。

目前，國基南方研發(fā)的碳化硅系列產(chǎn)品很好滿足各領(lǐng)域?qū)Ω叨穗娏﹄娮悠骷��?yīng)用需求，已進(jìn)入服務(wù)器電源、新能源發(fā)電、新能源汽車、電網(wǎng)輸變電等領(lǐng)域應(yīng)用，有效促進(jìn)了低碳數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展和能源結(jié)構(gòu)升級(jí)。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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