中國粉體網(wǎng)訊  在各類人造金剛石技術中，微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)單晶金剛石生長技術由于其微波能量無污染、氣體原料純凈等優(yōu)勢而在眾多單晶金剛石制備方法中脫穎而出，成為制備大尺寸、高品質單晶金剛石最有發(fā)展前景的技術之一。

(圖片來源：晶盛機電公眾號)

據(jù)晶盛機電消息，近日，晶盛機電晶體實驗室經(jīng)過半年多的工藝測試，全自動MPCVD法生長金剛石設備（型號XJL200A）成功生長出高品質寶石級的金剛石晶體。此次XJL200A金剛石生長爐成功解決了傳統(tǒng)的MPCVD培育鉆石生長技術的行業(yè)痛點：對多晶及生長裂紋等缺陷的判斷、對晶體溫度和生長厚度等關鍵生長參數(shù)的控制都依賴人工判斷，克服了目前人工培育鉆石過程中質量控制和規(guī)模化生產的瓶頸。

(圖片來源：晶盛機電公眾號)

該設備經(jīng)過長晶測試表明，能一次可以實現(xiàn)20顆以上4-5克拉毛坯鉆石的生產能力，設備穩(wěn)定性好，綜合生長良率高，為大規(guī)模的生產提供了自動化操作的基礎。項目負責人表示，目前已經(jīng)完成了設備定型和批量工藝開發(fā)，設備即將投放市場，能為客戶提供一站式解決方案。

隨著半導體行業(yè)的不斷發(fā)展，越來越多的半導體材料被應用于電子器件中。普通半導體材料受其性能約束，在高溫條件下的應用受到限制。而金剛石半導體器件具有高載流子遷移率、高熱導率和低介電常數(shù)等優(yōu)異的電學性質，能夠在高頻、大功率和高溫高壓等十分惡劣的環(huán)境中運行。金剛石通過摻雜可呈現(xiàn)ｎ型導電和ｐ型導電，性能遠超GaAs，GaN和SiC等材料，是目前最有希望的寬禁帶高溫半導體材料。此外，由于金剛石帶隙很寬，在半導體領域中，既能作為有源器件材料（如場效應管和功率開關），也能作為無源器件材料（如肖特基二極管等）。隨著金剛石的電學和熱學性能的逐步開發(fā)，金剛石會使超大規(guī)模集成電路和超高集成電路的發(fā)展進入一個新紀元。

參考來源：

[1] 晶盛機電公眾號

[2] 陳亞男等.金剛石半導體材料和器件的研究現(xiàn)狀

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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