中國粉體網(wǎng)訊  2022年3月11日，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案，經(jīng)CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA 024。

近 20 多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。SiC 材料具有 3 倍于硅材料的禁帶寬度，10 倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3 倍于硅材料的熱導率，因此 SiC 功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合。

其中SiC MOSFET是最為成熟、應用最廣的SiC功率開關器件，具有高開關速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點，被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiC MOSFET 是一種具有絕緣柵結構的單極性器件，關斷過程不存在拖尾電流，降低了開關損耗，進而減小散熱器體積；并且其開關速度快，開關頻率高，有利于減小變換器中電感和電容的體積，提高裝置的功率密度，有效降低裝置的系統(tǒng)成本。

MOSFET 器件結構示意圖

國際上多家企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn) SiCMOSFET 器件的商業(yè)化，并已逐步推出溝槽型 SiC MOSFET 器件。而國內(nèi)的 SiC MOSFET 器件基本采用平面柵 MOSFET 結構，研發(fā)進度相對落后，工藝技術的不成熟與器件可靠性是國內(nèi) SiC MOSFET器件的主要問題。

《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法，評價器件在承受規(guī)定動態(tài)柵極應力的條件下是否符合規(guī)定的閾值電壓變化量。該方法是使器件重復承受柵極正偏壓和柵極負偏壓，以加速器件柵氧界面的老化并加速器件閾值電壓的變化，從而衡量碳化硅MOSFET的閾值穩(wěn)定性。

江蘇宏微科技股份有限公司自設立以來一直從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。主要產(chǎn)品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。公司曾榮獲“新型電力半導體器件領軍企業(yè)”、“蘇南國家自主創(chuàng)新示范區(qū)瞪羚企業(yè)”、“PSIC2019中國新能源汽車用IGBT最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)稱號”和“中國電氣節(jié)能30年杰出貢獻企業(yè)”等榮譽稱號。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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