中國粉體網(wǎng)訊 近日，歐洲確立了一項高達6000萬歐元（約合人民幣4.55億元）的氮化鎵（GaN）科研項目，旨在建立從功率芯片到模塊的完整供應能力。除了牽頭人英飛凌，另有其45家合作伙伴參與其中。
毫無疑問，這項規(guī)模大且投入高的GaN項目，凸顯了英飛凌加碼布局三代半的決心。某種程度上，這也將成為歐洲提高芯片制造份額、打造彈性供應鏈的重要一步。
圖片來源：Fair Observer
巨頭扎堆
作為全球最大的功率半導體供應商，英飛凌對GaN的投入，想必不用多說。
去年2月份，英飛凌宣布將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū)，以生產(chǎn)SiC和GaN功率半導體。同時其表示，未來將對奧地利菲拉赫工廠的Si生產(chǎn)線進行改造，轉(zhuǎn)換為SiC和GaN的產(chǎn)能。
而早些時候，英飛凌宣布和GaN Systems簽署了最終協(xié)議，將以8.3億美元收購后者。稍顯激進的擴張動作，持續(xù)推進的GaN技術路線圖，無一不證明英飛凌對這塊“蛋糕”的垂涎。
2021年全球前十大功率半導體廠商排名中，英飛凌憑借絕對的收入優(yōu)勢位列第一名，其后分別是安森美、意法半導體、三菱電機、富士電機、東芝、威世、安世半導體、瑞薩電子以及羅姆。
這里面幾乎每一家公司都在加快布局GaN。
從三代半功率器件的應用來看，消費類產(chǎn)品電源、工業(yè)和商業(yè)類電源以及新能源汽車為主要市場。尤其隨著新能源汽車滲透率不斷提高，對節(jié)能、對充電效率的要求越來越高，三代半的潛力愈發(fā)突出。
GaN功率器件主要用于車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領域。相比于Si，GaN可以將充電速度提高至少三倍；相比SiC，其在耐高溫、耐高頻和耐高壓上也更具優(yōu)勢。
但目前受限于晶圓制備工藝和成本因素，GaN的產(chǎn)量遠不及SiC，進而應用速度稍顯落后。
國產(chǎn)GaN伺機而動
根據(jù)Yole的預測，2023年SiC滲透率將達到3.75%，而GaN滲透率則會達到1.0%。
正如賽迪顧問新材料產(chǎn)業(yè)研究中心首席分析師李龍在2022世界半導體大會上所言，第三代半導體行業(yè)總體上看處于發(fā)展早期階段，任何一個玩家若能實現(xiàn)技術突破，就可以改變目前的市場格局。
因而三代半也被視為本土玩家換道超車的重要領域。
近年來，多家本土企業(yè)逐步掌握了GaN晶圓制造的能力，以此為基礎，中游GaN器件廠商也在馬不停蹄地建設產(chǎn)能。包括三安光電、英諾賽科、賽微電子、華潤微、能華微電子等多家公司都在積極推進GaN器件的落地與商用。
圖片來源：英諾賽科
英諾賽科是全球第一家率先采用8英寸晶圓的GaN器件制造商。
今年第一季度，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量突破了5000萬顆，銷售額達1.5億，是去年同期的4倍。同時，依靠8英寸硅基氮化鎵IDM全產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢，英諾賽科40V/100V/150V低壓平臺也實現(xiàn)全面升級， 40V雙向?qū)óa(chǎn)品、100V半橋驅(qū)動合封產(chǎn)品等多系列產(chǎn)品相繼發(fā)布。
值得一提的是，國內(nèi)頭部車企已率先將英諾賽科氮化鎵用于車載激光雷達產(chǎn)品上，且已經(jīng)量產(chǎn)。
華潤微方面，GaN 600V/900V系列化產(chǎn)品均已發(fā)布并推向市場；而賽微電子也推出了數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品，并進入小批量試產(chǎn)。
賽微電子也表示，公司將持續(xù)布局GaN產(chǎn)業(yè)鏈，以參股方式建設GaN芯片制造產(chǎn)線，積極推動技術、工藝、產(chǎn)品積累，以滿足下一代功率與微波電子芯片對于大尺寸、高質(zhì)量、高一致性、高可靠性GaN外延材料以及GaN芯片的需求。
接下來，隨著GaN國產(chǎn)化水平不斷提升，誰能真正換道超車并在新能源汽車市場搶占一席之地，將成為市場的一個新看點。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/長安）
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