中國粉體網(wǎng)訊  眾所周知，氮化硅陶瓷被譽為“先進陶瓷材料皇冠上的明珠”，是結構陶瓷家族中綜合性能最為優(yōu)良的一類材料。隨著第三代半導體的大力發(fā)展，SiC功率器件集成度和功率密度的明顯提高，相應工作產(chǎn)生的熱量急劇增加。因此，電子封裝系統(tǒng)的散熱問題已成為影響其性能和壽命的關鍵，要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導熱的基板材料。

Si₃N₄陶瓷憑借優(yōu)異的性能成為SiC功率器件導熱基板材料首選。原因在于：

第一，Si₃N₄陶瓷是綜合性能最好的陶瓷基板材料，熱導率可達90～120W/(m·k)，熱膨脹系數(shù)為3.2×10^-6/℃，并具有優(yōu)異的機械強度、良好的化學穩(wěn)定性和抗熱沖擊性。

第二，第盡管Si₃N₄陶瓷基板具有略低于AlN的導熱性，但其抗彎強度、斷裂韌性都可達到AlN的２倍以上。

第三，同時，Si₃N₄陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導體襯底SiC晶體接近，使其能夠與SiC晶體材料匹配性更穩(wěn)定。使其能夠與 SiC 晶體材料匹配更穩(wěn)定，AMB氮化硅基板主要用于電動汽車（EV）和混合動力車（HV）功率半導體，特別在800V 以上高端新能源汽車中應用中不可或缺。

目前，隨著以SiC為襯底的第三代半導體芯片在新能源汽車、5G、新能源領域的快速推廣，Si₃N₄陶瓷基板需求也迎來了快速發(fā)展階段。2024年隨著碳化硅加速從6英寸邁向8英寸，需求端新能源車+光伏上量與供給端良率突破或將迎來共振，SiC有望迎接大規(guī)模放量，帶動氮化硅陶瓷基板的快速發(fā)展。

從宏觀數(shù)據(jù)可以看出，日本處于領先地位，這就導致了氮化硅基片呈極度寡頭壟斷局勢，同時全球氮化硅基片市場也都由日本主導。由于Si₃N₄基板還需要進行覆銅處理及應用端考核，因此國內Si₃N₄基板要達到應用化水平還有一段距離。

目前，中材高新開發(fā)的高導熱氮化硅陶瓷基板性能達到日本同類產(chǎn)品，采用特殊的配方和工藝，導熱系數(shù)>80W/(m·k)，產(chǎn)品已通過國際頭部企業(yè)質量檢測，2023年建成年產(chǎn)70萬片中試線。

此外，除了作半導體封裝材料，氮化硅作為其他半導體零部件如：半導體泵輔用陶瓷球軸承、加熱器、晶圓轉移用精密陶瓷吸盤等也展現(xiàn)出很好的應用前景。

中國粉體網(wǎng)將于2024年4月25日在江蘇蘇州舉辦“第三屆半導體行業(yè)用陶瓷材料技術研討會暨第三代半導體SiC晶體生長技術交流會”，屆時，中材高新材料股份有限公司張偉儒教授將帶來題為《氮化硅陶瓷在半導體行業(yè)應用及發(fā)展重點》的報告。張教授將針對行業(yè)對氮化硅陶瓷零部件需求，重點論述了高導熱氮化硅陶瓷基板國內外研究、產(chǎn)業(yè)化及應用進展。

來源：

楊凌艷等：半導體功率器件用氮化硅基片專利技術專利現(xiàn)狀

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（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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