中國粉體網訊  近年來，電子集成技術發(fā)展迅速，電子設備的組裝密度提高較為迅速，電路的體積逐漸縮小，整個發(fā)展趨勢向輕薄小方向。在頻率較高的情況下，工作的熱量很容易聚集，難以排出。為了保證電子元器件的良好運行，散熱能力的大小是關鍵因素。

氮化鋁(AlN)因具有較高的熱導率(320W/m·K，25℃)、良好的絕緣性(＞10¹⁴Ω·cm)、較低的介電常數(shù)(8.8，1MHz)與介電損耗(tanσ＝10^-4)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)(3.2×10^-6K^-1)、無毒以及優(yōu)異的化學穩(wěn)定性、機械性能和抗等離子性等特性而受到電子工業(yè)的廣泛關注。尤其球形氮化鋁粉體具有高流動性和堆積密度，作為填料使用時對體系粘度影響較小，有利于實現(xiàn)高填充，從而提高氮化鋁基板的散熱能力。

目前，常用的球形氮化鋁粉體制備方法是先將氧化鋁和碳源混合均勻(在混合過程中可加入燒結助劑)，然后在氮氣氣氛下進行高溫氮化得到含碳氮化鋁，再將含碳氮化鋁在空氣或氧氣氣氛下進行碳熱還原得到球形氮化鋁。但這種制備方法得到的是非致密的球形氮化鋁顆粒，將其用于填充材料時會出現(xiàn)填充量低、吸油值大等問題。

近日，安徽壹石通材料科技股份有限公司申請一項名為“致密化球形氮化鋁及其制備方法與應用”，公開號CN202311836763.5，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，該發(fā)明公開了一種致密化球形氮化鋁及其制備方法與應用，涉及導熱填料技術領域，該發(fā)明以亞微米級的氮化鋁為原料，并加入少量的氧化釔和鋁溶膠，通過噴霧造粒技術獲得多孔球形氮化鋁，然后將多孔球形氮化鋁與隔離劑混合均勻后依次進行高溫燒結以及除碳處理，最終得到球形度高且整體致密化的球形氮化鋁，顯著降低球形氮化鋁的比表面積，提高球形氮化鋁作為導熱填料的填充量，從而有效改善復合材料的導熱性能。

來源：國家知識產權局

（中國粉體網編輯整理/山川）

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