中國粉體網(wǎng)訊  近日，投資者就金太陽參股領(lǐng)航電子相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品問題向金太陽提問，公司表示，參股公司東莞領(lǐng)航電子新材料有限公司已完成IC、硅晶圓、碳化硅等半導(dǎo)體級拋光液的性能驗(yàn)證并具備量產(chǎn)能力。

化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削相互作用的超精密加工技術(shù)，其基本原理是工件表面材料與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層軟質(zhì)層，在一定的壓力下，旋轉(zhuǎn)拋光液磨粒和拋光墊對軟質(zhì)層進(jìn)行機(jī)械去除，使工件表面重新裸露出來，然后進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)�；瘜W(xué)作用和機(jī)械作用交替進(jìn)行，直到兩者達(dá)到平衡，完成工件表面拋光。

目前化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)被廣泛應(yīng)用于集成電路制造過程中對基體材料硅晶片的拋光，主要包括：淺槽隔離、銅互連、High-k絕緣層金屬柵極（HKMG）先進(jìn)晶體管制造、鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）、局部連接的高級觸點(diǎn)、高級邏輯器件中的高遷移率溝道材料、高級動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器中的埋人式字線品體管結(jié)構(gòu)等，對于不同的多層材料的表面平坦化均有良好的效果。

CMP工藝 

來源：王林，拋光墊微觀接觸對化學(xué)機(jī)械拋光材料去除的影響及其跨尺度建模方法

CMP拋光液可以有效地去除晶圓表面的凸起和凹陷，實(shí)現(xiàn)晶圓表面的平整化，提高晶圓質(zhì)量和性能。它的種類、物理化學(xué)性質(zhì)（磨料顆粒的粒徑大小、顆粒的分散度及穩(wěn)定性）等都會影響工件材料表面拋光的效果。研磨顆粒是CMP拋光液重要的組成部分，其在拋光過程中通過微切削、微劃擦、滾壓等方式作用于工件被加工表面，去除表面材料。磨粒占拋光液成本的50%-70%。 

東莞領(lǐng)航電子新材料有限公司成立于2021年11月，在粵港澳大灣區(qū)幾何中心由海外CMP業(yè)界資深人士、博士領(lǐng)銜擔(dān)綱。產(chǎn)品主要服務(wù)于3C、IC企業(yè)。企業(yè)立足在CMP領(lǐng)域助力企業(yè)提質(zhì)增效，是CMP企業(yè)的運(yùn)營整體方案提供商。公司聚焦于CMP企業(yè)的拋光/研磨高效化運(yùn)營，通過與客戶需求相匹配的管理平臺所搭建的企業(yè)專業(yè)化研發(fā)、數(shù)字化生產(chǎn)、貼近化服務(wù)，構(gòu)建橫向集成、縱向貫通、端到端一體化的全新運(yùn)營管理體系。

 來源：領(lǐng)航電子官網(wǎng)

公司秉承企業(yè)文化與理念，為CMP企業(yè)提供技術(shù)支持與各類解決方案。通過技術(shù)交流和產(chǎn)品服務(wù)，提升CMP企業(yè)運(yùn)營能力！目前產(chǎn)品包括硅片、碳化硅、氮化鎵等拋光材料，IC芯片、大規(guī)模集成電路拋光材料，3C智能可穿戴拋光解決方案/拋光材料，精密制造拋光解決方案/拋光蠟。

參考來源：

[1] 同花順財(cái)經(jīng)、中國粉體網(wǎng)、領(lǐng)航電子官網(wǎng)

[2] 孟凡寧等，化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展。

[3] 王林，拋光墊微觀接觸對化學(xué)機(jī)械拋光材料去除的影響及其跨尺度建模方法。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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