中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日，由奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法腐蝕坑密度測(cè)量法》、由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測(cè)試方法》已完成征求意見(jiàn)稿的編制，正式面向北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員單位征求意見(jiàn)，非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)送郵件。
氮化物寬禁帶半導(dǎo)體，包括氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）等，在藍(lán)光－紫外光電器件、高頻大功率電子器件等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。AlN具有高絕緣性、高熱導(dǎo)率、高紫外透射率、較強(qiáng)的抗輻射能力以及高化學(xué)穩(wěn)定性與熱穩(wěn)定性等優(yōu)良特性，其原料來(lái)源豐富且無(wú)污染，可廣泛應(yīng)用于微電子與光電子領(lǐng)域。
奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司始創(chuàng)于2016年5月，是一家由半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)專(zhuān)家、海外歸國(guó)學(xué)者團(tuán)隊(duì)領(lǐng)銜創(chuàng)立的高科技創(chuàng)新型企業(yè)，奧趨光電核心專(zhuān)注于第三代/第四代超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁單晶晶圓襯底材料、硅基/藍(lán)寶石基/碳化硅基氮化鋁及鋁鈧氮薄膜模板、全自動(dòng)氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、制造與銷(xiāo)售。
奧趨光電官網(wǎng)
奧趨光電牽頭起草的T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法腐蝕坑密度測(cè)量法》描述了用擇優(yōu)化腐蝕技術(shù)測(cè)試氮化鋁拋光片中位錯(cuò)密度的方法，包括方法原理、儀器設(shè)備、測(cè)試條件、樣品、測(cè)試步驟、結(jié)果計(jì)算和測(cè)試報(bào)告。該文件適用于拋光加工后位錯(cuò)密度小于10*7個(gè)/cm2的氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試，適用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直徑氮化鋁拋光片的測(cè)試。氮化鋁外延片可參照使用。
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所于1960年9月6日在北京成立，擁有兩個(gè)國(guó)家級(jí)研究中心—國(guó)家光電子工藝中心、光電子器件國(guó)家工程研究中心；兩個(gè)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室——光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；一個(gè)院級(jí)實(shí)驗(yàn)室——中國(guó)科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。此外，還設(shè)有納米光電子實(shí)驗(yàn)室、人工智能與高速電路實(shí)驗(yàn)室、光電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室、全固態(tài)光源實(shí)驗(yàn)室、寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測(cè)中心。
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所官網(wǎng)
半導(dǎo)體所牽頭起草的T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測(cè)試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數(shù)的測(cè)試方法，包括原理、儀器設(shè)備、測(cè)試條件、樣品、測(cè)試步驟、結(jié)果計(jì)算和測(cè)試報(bào)告。該文件適用于氮化鋁拋光片的光學(xué)質(zhì)量控制和評(píng)估。氮化鋁外延片可參照使用。
參考來(lái)源：
[1] 付潤(rùn)定，AlN體單晶的性質(zhì)、拋光與外延研究
[2] 奧趨光電官網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所官網(wǎng)
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山林）
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