中國粉體網(wǎng)訊  近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京晶亦精微科技股份有限公司取得一項名為“一種自降溫的晶圓拋光方法”的專利，可以在拋光工藝中實現(xiàn)自降溫。

來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

晶圓，作為半導體芯片的核心載體，其表面質(zhì)量直接決定著芯片的性能和可靠性。而晶圓拋光就是為了實現(xiàn)晶圓表面的極致平滑，去除微小的瑕疵和不規(guī)則，為后續(xù)的芯片制造工序奠定堅實的基礎(chǔ)。

化學機械拋光（CMP）結(jié)合了機械摩擦和化學腐蝕的雙重作用，是目前半導體制造中最常用的拋光方法。CMP不僅能有效去除晶圓表面的粗糙層和多余物質(zhì)，還能在保證高平坦度的同時，減少對晶圓表面的損傷。

化學機械拋光液的性能是影響化學機械拋光質(zhì)量和拋光效率的關(guān)鍵因素之一。拋光液一般包含氧化劑、絡(luò)合劑、表面活性劑、磨料、pH調(diào)節(jié)劑、腐蝕抑制劑等成分，各種添加劑的選擇和含量對拋光效果都會產(chǎn)生很大的影響。拋光液具有技術(shù)含量高、保密性強、不可回收等特點，這使其成為CMP技術(shù)中成本最高的部分。

拋光墊在CMP系統(tǒng)中也起著不可或缺的重要作用，對拋光工件的表面質(zhì)量和材料去除率的影響較大。在拋光過程中，拋光墊主要有以下兩點作用：與磨粒一起對工件表面形成機械磨削作用；運輸和儲存拋光液，使拋光液與工件表面發(fā)生氧化反應(yīng)等。

北京晶亦精微科技股份有限公司本次發(fā)明涉及一種自降溫的晶圓拋光方法。自降溫的晶圓拋光方法包括：提供晶圓，所述晶圓的莫氏硬度為8～10；利用拋光頭將所述晶圓固定在拋光墊上，所述拋光墊的材料為熱塑性材料；通過拋光液管路將拋光液導入所述拋光墊與所述晶圓接觸的一側(cè)；所述拋光液中不含研磨顆粒；旋轉(zhuǎn)所述拋光盤和所述拋光頭，對所述晶圓進行拋光工藝。

該發(fā)明提供的自降溫的晶圓拋光方法可以在拋光工藝中實現(xiàn)自降溫，保證拋光墊溫度在較低范圍內(nèi)，可以有效延長拋光墊的使用壽命，避免出現(xiàn)拋光頭背膜失效、拋光墊脫膠等問題，降低晶圓劃傷風險，提高晶圓拋光質(zhì)量。

來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

北京晶亦精微科技股份有限公司是由北京爍科精微電子裝備有限公司（爍科精微）整體變更發(fā)起設(shè)立的股份有限公司。于2019年9月23日在北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)注冊成立，是一家國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司聚焦集成電路核心裝備CMP核心主業(yè)，圍繞產(chǎn)業(yè)化和市場化進程中亟待突破的技術(shù)和經(jīng)營短板，不斷推進CMP設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程，不斷加強能力建設(shè)、構(gòu)建經(jīng)營發(fā)展體系，不斷夯實核心競爭力。

來源：中國電科第四十五研究所官網(wǎng)

此前，晶亦精微CMP設(shè)備已實現(xiàn)臺灣地區(qū)首臺CMP設(shè)備的銷售，標志著晶亦精微在高端半導體設(shè)備制造領(lǐng)域邁出重要一步，體現(xiàn)了國產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中日益增強的影響力和競爭力。

參考來源：

[1] 國家知識產(chǎn)權(quán)局、DT半導體、晶亦精微官網(wǎng)、中國電科第四十五研究所官網(wǎng)、行家說三代半

[2] 孟凡寧等，化學機械拋光液的研究進展

[3] 李運鶴，碳化硅晶圓化學機械拋光工藝優(yōu)化實驗研究

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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