納米SiC和SiC(N)粉體的微波介電特性及其與微波的作用機理

編號：FTJS00303

篇名：納米SiC和SiC(N)粉體的微波介電特性及其與微波的作用機理

作者：趙東林 萬偉等

關(guān)鍵詞：微波 納米SiC(N)復相粉體 納米SiC粉體 微波介電特性 作用機理 納米材料 復合材料

機構(gòu)： 西北工業(yè)大學凝固技術(shù)國家重點實驗室，陜西西安710072

摘要： 研究了納米SiC粉體和納米SiC(N)復相粉體在8.2-12.4GHz頻率范圍的介電特性及其與微波的作用機理，發(fā)現(xiàn)納米SiC(N）復相粉體介電常數(shù)的實部（ε′）和虛部（ε′′）在8.2-12.4GHz范圍內(nèi)隨頻率增大而減小，介電損耗（tgδ=ε′′/ε′）較高，是較為理想的微波吸收材料。納米SiC粉體的ε′、ε′′和tgδ明顯小于納米SiC(N)復相粉體的，對微波的吸收不理想。提出了納米SiC(N)復相粉體對微波的吸收機理。納米SiC(N)復相粉體中的SiC微晶固溶了大量的N原子，在納米SiC(N)復相粉體中形成大量的帶電缺陷，這些帶電缺陷在電磁波交變電場作用下產(chǎn)生極化耗散電流，強烈的極化馳豫過程導致大的介電損耗。

出處：西北工業(yè)大學學報.2002,20(2).-167-171