SiC(N）納米粉體的吸波性能研究

編號(hào)：FTJS00302

篇名：SiC(N）納米粉體的吸波性能研究

作者：焦桓 羅發(fā)等

關(guān)鍵詞：吸波性能 SiC(N)納米粉體 介電常數(shù) 反射率 吸波機(jī)理 碳化硅 氮化硅

機(jī)構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，陜西西安710072

摘要： 采用CVD法合成了SiC(N)納米粉體。在NH3流量為0－480ml/min范圍內(nèi)，合成了氮原子百分含量隨NH3流量逐漸增大的一系列SiC(N)納米粉體。研究了SiC(N)納米粉體的介電常數(shù)和介電損耗角正切與粉體組成的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)的實(shí)部、瞄部和介電損耗角正切均隨粉體中氮原子摩爾分?jǐn)?shù)的升高而降低，依據(jù)粉體的介電常數(shù)設(shè)計(jì)了雙層吸波涂層，涂層的吸波效果隨粉體氮含量的升高而降低。N原子取代SiC晶格中C產(chǎn)生的帶電缺陷在電磁場(chǎng)作用下的極化馳豫是SiC(N）納米粉體吸波的主要機(jī)理。

出處：西北工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào).2002,20(2).-172-175