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            Sb摻雜SnO2納米粉體的結晶行為和電學性能

            編號:FTJS00311

            篇名:Sb摻雜SnO2納米粉體的結晶行為和電學性能

            作者:張建榮 顧達等

            關鍵詞:Sb 摻雜 SnO2 銻 納米粉體 結晶行為 電學性能 半導體材料 二氧化錫 非均相成核法

            機構: 華東理工大學化學系,上海200237

            摘要: 采用非均相成核法制備了Sb摻雜的SnO2(ATO)納米粉體。研究了粉體電學性能、粒徑、晶胞參數(shù)隨Sb摻雜量的變化關系及粉體電學性能、粒徑隨煅燒溫度的變化關系。應用非晶物質晶化晶核生長速率方程計算了晶粒生長活化能。結果表明,晶粒生長分為2個階段,其活化能分別為21.94和4.52kJ/mol。

            出處:應用化學.2002,19(6).-552-555

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