Al摻雜對SiC粉體微波介電性能的影響

編號：FTJS00537

篇名：Al摻雜對SiC粉體微波介電性能的影響

作者：李智敏; 周萬城; 蘇曉磊; 羅發(fā); 黃云霞;

關(guān)鍵詞：SiC粉體; Al摻雜; 固相反應(yīng); 介電性能;

機構(gòu)： 西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院; 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點實驗室; 西安工程大學(xué)機電工程學(xué)院;

摘要： 采用高溫固相反應(yīng)法,以Al粉和SiC粉為原料合成Al摻雜SiC粉體。通過X射線衍射分析和拉曼光譜對合成粉體進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,當(dāng)反應(yīng)溫度高于1900℃時,合成產(chǎn)物中未出現(xiàn)Al的雜質(zhì)相。在2000℃時,相對較多的Al原子進(jìn)入到SiC晶格形成Al-SiC固溶體。在8.2～12.4GHz頻率范圍,采用波導(dǎo)法對未摻雜和摻雜SiC粉體的介電常數(shù)進(jìn)行了測試。結(jié)果表明,Al原子摻雜形成Al-SiC固溶體,可以有效地提高SiC粉體的微波介電性能。