CdS/TiO_2納米管陣列的制備及光催化性能

編號(hào)：CPJS04768

篇名：CdS/TiO_2納米管陣列的制備及光催化性能

作者：杜晶晶[1] ;趙軍偉[2] ;程曉民[2] ;王可勝[1]

關(guān)鍵詞：CdS/TiO2納米管陣列 化學(xué)水浴沉積 光催化 氣相苯

機(jī)構(gòu)： [1]寧波工程學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院,寧波315016; [2]寧波工程學(xué)院材料學(xué)院,寧波315016

摘要： 采用陽(yáng)極氧化法在純鈦箔上制備出TiO2納米管陣列,再通過(guò)化學(xué)水浴沉積法在TiO2納米管陣列上負(fù)載Cd S納米顆粒。利用XRD、FESEM和UV-Vis分光光度計(jì)對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征,并研究了不同含量Cd S負(fù)載的復(fù)合薄膜對(duì)光催化降解氣相苯性能的影響。結(jié)果表明,Cd S納米顆粒均勻沉積到TiO2納米管陣列上,所制備的復(fù)合薄膜光吸收帶邊均擴(kuò)展到了可見(jiàn)光區(qū)。Cd S的修飾大幅度提高了TiO2納米管陣列對(duì)氣相苯的光催化降解活性,其中負(fù)載Cd S質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的TiO2納米管陣列光催化活性最佳,80 min內(nèi)對(duì)氣相苯的去除率為80%,終產(chǎn)物CO2的濃度為640 mg/m3。