陽(yáng)極氧化Ti3SiC2制備納米孔陣列

編號(hào)：CPJS04913

篇名：陽(yáng)極氧化Ti3SiC2制備納米孔陣列

作者：尹洪峰 ;何晨 ;侯琴 ;袁蝴蝶

關(guān)鍵詞：TI3SIC2 陽(yáng)極氧化 納米孔 電解液 氧化電壓

機(jī)構(gòu)： 西安建筑科技大學(xué)材料與礦資學(xué)院,西安710055

摘要： 以NH4F和乙二醇為電解液,采用陽(yáng)極氧化法在Ti_3SiC_2表面制備納米多孔結(jié)構(gòu),研究陽(yáng)極氧化電壓、電解液濃度和氧化時(shí)間對(duì)納米多孔結(jié)構(gòu)形成的影響。利用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）、X射線衍射儀（XRD）和X射線光電子能譜（XPS）對(duì)納米多孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。結(jié)果表明：孔徑隨著氧化電壓的升高而增大,且延長(zhǎng)氧化時(shí)間有利于制備孔徑均勻的納米孔;Ti_3SiC_2試樣經(jīng)陽(yáng)極氧化后除含有Ti、Si、C元素外,還含有O元素,且以TiO_2的形態(tài)存在。