Poly（St-co-DMC）/SiO2雜化及空心雜化納米粒子的合成及表征

編號：CPJS05013

篇名：Poly（St-co-DMC）/SiO2雜化及空心雜化納米粒子的合成及表征

作者：柴仕淦 ;袁建軍 ;鄒其超 ;張金枝

關(guān)鍵詞：poly(St-co-DMC)/SiO2 雜化 納米粒子 TMOS 沉積

機(jī)構(gòu)： 有機(jī)化工新材料湖北協(xié)同創(chuàng)新中心 湖北大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院有機(jī)功能高分子的合成和應(yīng)用教育部重點(diǎn)實驗室,武漢430062

摘要： 采用無皂乳液聚合法合成了聚（苯乙烯-co-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化銨）（poly（St-co-DMC））納米粒子,平均粒徑約為100 nm.以此納米粒子為模板,在接近室溫及p H為中性的溫和條件下,以四甲氧基硅烷（TMOS）為硅源,合成了poly（St-co-DMC）/Si O2雜化納米粒子,TEM結(jié)果顯示該納米粒子具有明顯的核殼結(jié)構(gòu),Si O2主要沉積在殼層.進(jìn)一步通過四氫呋喃溶解制備得到具有空心結(jié)構(gòu)的納米粒子,這種空心結(jié)構(gòu)納米粒子的FTIR圖譜中既有Si O2的信號,也有poly（St-co-DMC）的信號,說明空心納米粒子的殼層不完全是Si O2,對空心納米粒子的TGA結(jié)果分析計算得到Si O2的含量僅為69.7%,說明納米粒子的殼層為雜化殼層,并且,這種殼層的厚度隨著反應(yīng)溫度的升高、反應(yīng)時間的延長、TMOS用量的增加及聚合物模板中DMC含量的增加而增大.