薄膜太陽(yáng)能中納米硅本征層晶相比對(duì)電池性能影響的研究

編號(hào)：FTJS06638

篇名：薄膜太陽(yáng)能中納米硅本征層晶相比對(duì)電池性能影響的研究

作者：李娟 ;馮國(guó)林

關(guān)鍵詞：晶相比 納米硅 薄膜太陽(yáng)能電池

機(jī)構(gòu)： 寧夏師范學(xué)院物理與電子信息工程學(xué)院,寧夏固原756000

摘要： 我們?cè)诮�立pin型納米硅薄膜太陽(yáng)能電池模型的基礎(chǔ)上,利用有效介質(zhì)理論分析了納米硅的光吸收系數(shù)和光學(xué)帶隙與晶相比的關(guān)系。運(yùn)用AMPS-1D程序模擬分析了納米硅本征層晶相比對(duì)電池性能影響。結(jié)果表明納米硅本征層太陽(yáng)電池的晶化率在40%-60%時(shí),電池的效率比較高。