添加劑濃度對直流電解沉積納米孿晶Cu微觀結構的影響

編號：NMJS06051

篇名：添加劑濃度對直流電解沉積納米孿晶Cu微觀結構的影響

作者：金帥 ;程釗 ;潘慶松 ;盧磊

關鍵詞：納米孿晶Cu 直流電解沉積 孿晶片層尺寸 添加劑

機構： 中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家聯(lián)合實驗室,沈陽110016

摘要： 采用直流電解沉積技術制備出具有高密度擇優(yōu)取向的納米孿晶結構塊體純Cu樣品.利用XRD,SEM和TEM等手段研究了添加劑濃度對其微觀結構的影響.結果表明,樣品由沿沉積方向生長的微米尺寸柱狀晶粒構成,晶粒內(nèi)含有高密度孿晶界,且大部分孿晶界平行于生長表面.添加劑（明膠）濃度對納米孿晶Cu的孿晶片層厚度有明顯影響,但對晶粒尺寸影響不大.無添加劑時,純Cu樣品中存在微米量級寬大孿晶片層,當添加劑濃度從0.5 mg/L增加到5 mg/L,孿晶片層厚度從150 nm減小至30 nm,且孿晶界生長更完整.其原因是隨著添加劑濃度增加,陰極過電位增大,孿晶界形核率增加,從而使孿晶片層厚度減小.