新結構InN納米材料的CVD生長

編號：CPJS05170

篇名：新結構InN納米材料的CVD生長

作者：劉敏 ;黃靜雯 ;楚士晉 ;彭汝芳

關鍵詞：化學氣相沉積法 InN納米葉 晶體結構 光致發(fā)光譜

機構： 西南科技大學四川非金屬復合與功能材料重點實驗室-省部共建國家重點實驗室培育基地,四川綿陽621010

摘要： 采用化學氣相沉積法在p型硅襯底上制備具有纖鋅礦結構的不同形貌的InN納米材料,通過掃描電子顯微鏡和X射線衍射分析了InN納米材料的形貌、元素組成及晶體結構,發(fā)現(xiàn)該材料具有納米線、納米葉、納米項鏈3種結構,其中納米葉是InN中的一種新型結構材料,且未見報道。能譜掃描檢測確定氮銦原子質量比約為1：1.07。在室溫下光致發(fā)光譜的測試中,經(jīng)計算可得InN納米材料的帶隙為0.725eV,同時InN納米葉的發(fā)光強度優(yōu)于納米線與納米項鏈,表明新型納米葉結構具有更優(yōu)異的光學性能。