透明Ag納米線電極的后處理優(yōu)化及性能

編號：FTJS06708

篇名：透明Ag納米線電極的后處理優(yōu)化及性能

作者：馬立安[1] ;魏朝暉[1] ;葉曉云[1] ;胡利勤[2] ;郭太良[2]

關鍵詞：銀納米線 透明電極 后處理優(yōu)化 場發(fā)射

機構： [1]福建工程學院材料科學與工程學院,福州350108; [2]福州大學光電技術研究所,福州350002

摘要： 采用優(yōu)化的多元醇制備工藝,以乙二醇為溶劑和還原劑,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）為表面活性劑,CuCl_2為控制劑,合成了超長的Ag納米線。利用旋涂工藝在玻璃基板上制作了透明的Ag納米線薄膜電極,系統(tǒng)研究了退火溫度和模壓力對Ag納米線電極透過率及導電性的影響。結果表明,當退火溫度為200℃、壓力5 MPa時,Ag納米線在保持光線透過率損失很小的條件下薄膜阻值由3200Ω/□可優(yōu)化至17Ω/□。薄膜電極導電能力的提高主要源于在較高退火溫度和壓力雙重作用下納米線外層包裹的PVP層的去除,實現了納米線交叉點互焊與互聯。研究了未處理和預處理工藝對Ag納米線電極上沉積的ZnO納米棒的形貌和場發(fā)射特性的影響。結果顯示：經預處理的透明電極表面沉積的ZnO呈有序棒狀排列,而未處理的樣品展現出無序形貌;場發(fā)射測量顯示納米線電極預處理方法可有效降低ZnO納米棒開啟場強。