水熱法-高溫煅燒處理制備NixCo1-xMoO4納米片陣列/泡沫Ni復(fù)合材料及其贗電容性能研究

編號(hào)：NMJS06359

篇名：水熱法-高溫煅燒處理制備NixCo1-xMoO4納米片陣列/泡沫Ni復(fù)合材料及其贗電容性能研究

作者：余大江 ;郭紹義 ;袁永鋒 ;張志強(qiáng)

關(guān)鍵詞： 超級(jí)電容器 納米片陣列 水熱法 NixCo1-xMoO4

機(jī)構(gòu)： 浙江理工大學(xué)機(jī)械與自動(dòng)控制學(xué)院,杭州310018

摘要： 采用水熱法-高溫煅燒處理制備Ni_xCo_（1-x）MoO_4（x=0、0.25、0.50、0.75和1.00）納米片陣列,利用XRD、FESEM、循環(huán)伏安法和恒流充放電測(cè)試方法,分析其晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌和贗電容性能。研究表明：Ni_xCo_（1-x）MoO_4納米片陣列的晶體結(jié)構(gòu)和微觀形貌與Ni的相對(duì)含量有關(guān);其中,晶體結(jié)構(gòu)為NiMoO_4物相的Ni_（0.50）Co_（0.50）MoO_4納米片陣列顯示出高的比電容、增強(qiáng)的循環(huán)穩(wěn)定性和高倍率放電能力,是一種性能優(yōu)異的贗電容材料。