方波脈沖下聚酰亞胺/納米復合薄膜耐電暈特性研究

編號：CPJS05600

篇名：方波脈沖下聚酰亞胺/納米復合薄膜耐電暈特性研究

作者：吳旭輝 ;高國強 ;魏文賦 ;鐘鑫 ;張興濤 ;吳廣寧

關鍵詞： 聚酰亞胺 納米復合薄膜 紅外光譜分析 掃描電鏡 耐電暈

機構： 西南交通大學電氣工程學院,四川成都610031

摘要： 本文為探究在方波脈沖下聚酰亞胺（polyimide,PI）/納米復合薄膜的耐電暈特性,采用原位聚合法制備了純膜和摻雜納米氧化鋁的復合薄膜,通過傅里葉紅外光譜（FTIR）技術分析了薄膜的化學結構,測量了純膜和納米膜的表面電阻率,并在重復方波脈沖下進行耐電暈實驗,最后運用掃描電子顯微鏡（SEM）分析電暈擊穿前后薄膜的微觀形態(tài)。實驗結果表明：純膜和納米膜的耐電暈時間都會隨著電壓的升高而降低,并且在同一電壓下,納米膜的耐電暈特性優(yōu)于純膜。通過測試分析,從納米粒子和聚合物基體間形成的界面、薄膜表面電荷分布、薄膜試樣擊穿過程3個方面對納米薄膜優(yōu)異的耐電暈特性給出了解釋。