電化學(xué)沉積制備納米晶Bi-Te薄膜及其表征

編號：NMJS06516

篇名：電化學(xué)沉積制備納米晶Bi-Te薄膜及其表征

作者：曹一琦[1] ;黃小華[1] ;吳建波[1] ;林燕[1] ;郭仁青[1] ;張勝楠[2]

關(guān)鍵詞： 電化學(xué)沉積 恒電流 薄膜 熱電材料 BI2TE3 納米棒

機構(gòu)： [1]臺州學(xué)院,浙江臺州318000; [2]西北有色金屬研究院,陜西西安710016

摘要： 采用恒電流電化學(xué)沉積工藝制備Bi-Te二元薄膜。隨著沉積時間的變化,在同一個電極上依次出現(xiàn)了單相的Bi2Te3和Bi4Te3薄膜。其中,Bi2Te3薄膜是由規(guī)則的長度為100 nm左右,平均寬度為10 nm的納米棒組成,其具有非常大的比表面積,非常有利于其作為熱電材料的應(yīng)用。而Bi4Te3薄膜是由納米顆粒團聚而成的不規(guī)則多面體組成。研究證明通過改變沉積參數(shù),有可能在Bi-Te二元系統(tǒng)的沉積過程中對生成物的相組成和形貌進行調(diào)控。