SnO_2納米線基場效應(yīng)晶體管的電學性能研究

編號：CPJS05681

篇名：SnO_2納米線基場效應(yīng)晶體管的電學性能研究

作者：拜穎乾[1] ;毛紅梅[1] ;郭軍[1] ;李偉[2]

關(guān)鍵詞： SnO_2納米線 晶體管 Sb摻雜 電學性能 柵電壓 功耗

機構(gòu)： [1]陜西鐵路工程職業(yè)技術(shù)學院,陜西渭南714099; [2]西安交通大學,陜西西安710049

摘要： 基于氣-液-固生長機理和原位摻雜技術(shù),成功制備了2%（質(zhì)量分數(shù)）Sb摻雜SnO_2納米線,所制器件可以在低壓環(huán)境下工作且不受柵漏電的影響;將該納米線作為場效應(yīng)晶體管的溝道,分析了不同比例的Sb摻雜對晶體管電學性能參數(shù)的影響。結(jié)果顯示：Sb質(zhì)量分數(shù)由0.5%增加到2.5%時,隨著Sb摻雜量的增大,晶體管的穩(wěn)定性增強,但柵電壓的調(diào)控能力減弱,晶體管功耗增大且對空穴和電子的遷移能力減弱。