氧化石墨烯修飾碳糊電極循環(huán)伏安法測定銅離子

編號：NMJS06778

篇名：氧化石墨烯修飾碳糊電極循環(huán)伏安法測定銅離子

作者：陳紅任 孫和鑫 朱春城

關(guān)鍵詞： 氧化石墨烯 化學(xué)修飾碳糊電極 循環(huán)伏安法 銅離子

機構(gòu)： 哈爾濱師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院

摘要： 采用改進的Hummers法合成氧化石墨烯,利用擠壓填充法將氧化石墨烯修飾到碳糊電極內(nèi),成功地制備了氧化石墨烯修飾碳糊電極并探討了在此電極上銅離子的循環(huán)伏安行為。實驗表明：石墨粉與氧化石墨烯材料配比為8∶1,底液p H值為3.0,掃描速率為120 m V/s測定銅離子時為最優(yōu)實驗條件,氧化峰電流與銅離子濃度在4.0×10^-8mol/L-1.0×10^-3mol/L范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系,檢出限為4.559×10^-8mol/L。氧化石墨烯修飾碳糊電極對銅離子的測定表現(xiàn)出良好的重現(xiàn)性與穩(wěn)定性。