共沉淀法制備Ce、Pr共摻雜GAGG粉體及發(fā)光特性

編號(hào)：FTJS07137

篇名：共沉淀法制備Ce、Pr共摻雜GAGG粉體及發(fā)光特性

作者：孫麗娜 趙木森 譚俊 董再蒸 巴德純

關(guān)鍵詞： 釓鎵鋁基石榴石 納米粉體 共摻雜 發(fā)射光譜 衰減時(shí)間

機(jī)構(gòu)： 東北大學(xué)機(jī)械工程與自動(dòng)化學(xué)院 東北大學(xué)新材料技術(shù)研究院

摘要： 用化學(xué)共沉淀法一次煅燒工藝制備Ce,Pr∶GAGG粉體,利用XRD、SEM、熒光光譜儀等對(duì)樣品表面形貌及發(fā)光性能進(jìn)行表征,研究煅燒溫度、沉淀劑引入草酸根對(duì)粉體發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明,前驅(qū)體經(jīng)950℃煅燒3h后全部轉(zhuǎn)變?yōu)镚AGG相,Pr^3+、Ce^3+共摻未改變基質(zhì)的物相結(jié)構(gòu);沉淀劑引入草酸銨后,粉體發(fā)射光譜積分強(qiáng)度由333573a.u上升至420894a.u,沉淀劑引入草酸根能提高粉體的發(fā)光性能。熒光壽命測(cè)試表明,在Ce∶GAGG中摻入Pr^3+可使Ce^3+的熒光壽命降低,衰減時(shí)間為35.43ns。