石墨烯/藍寶石基底上無應力AlN的快速生長

編號：NMJS07170

篇名：石墨烯/藍寶石基底上無應力AlN的快速生長

作者：唐智勇

關鍵詞： ALN 藍寶石 石墨烯

機構(gòu)： 國家納米科學中心

摘要： 以氮化物為代表的第三代半導體材料,在發(fā)光二極管1,2、激光二極管3、紫外輻射源4、高頻功率電子學5,6等領域具有廣闊的應用前景。目前,制備第三代半導體材料的常用方法是金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)法,常用的襯底主要包括藍寶石、硅、碳化硅等。但是,在材料異質(zhì)外延過程中,襯底與半導體薄膜之間較大的晶格失配和熱失配會導致材料中應力的積累以及缺陷密度的升高。除此之外,在材料島狀拼接生長過程中,在拼接界面處會引入大量的缺陷結(jié)構(gòu)7。