缺陷對(duì)鈉在石墨烯上吸附性能的影響

編號(hào)：CPJS06583

篇名：缺陷對(duì)鈉在石墨烯上吸附性能的影響

作者：姚利花

關(guān)鍵詞： 鈉吸附 缺陷 石墨烯 第一性原理

機(jī)構(gòu)： 山西大同大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院

摘要： 采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,研究了本征石墨烯和缺陷石墨烯吸附鈉原子的電荷密度、吸附能、態(tài)密度和儲(chǔ)存量.結(jié)果表明,本征石墨烯中,鈉原子的最佳吸附位置為H位,缺陷石墨烯中,鈉原子的最佳吸附位置為TD位.缺陷石墨烯對(duì)鈉原子的吸附能是-4.423eV,約為本征石墨烯對(duì)鈉原子吸附能的2.5倍;鈉原子與缺陷石墨烯中的碳原子發(fā)生軌道雜化,而與本征石墨烯沒有發(fā)生軌道雜化現(xiàn)象.缺陷石墨烯能夠吸附10個(gè)鈉原子,與本征石墨烯相比顯著提高.因此,缺陷石墨烯有望成為一種潛在的儲(chǔ)鈉材料.