石墨表面化學(xué)沉積碳化硅膜及膜層質(zhì)量分析

編號(hào)：CPJS06668

篇名：石墨表面化學(xué)沉積碳化硅膜及膜層質(zhì)量分析

作者：胡傳奇 黃小婷 劉海林 霍艷麗 楊泰生 唐婕 陳玉峰

關(guān)鍵詞： 石墨基體 化學(xué)氣相沉積 碳化硅膜 膜層質(zhì)量 分析

機(jī)構(gòu)： 中國(guó)建筑材料科學(xué)研究總院有限公司

摘要： 采用一甲基三氯硅烷(CH3SiCl3,MTS)和高純氫氣(H2)為原料,通過(guò)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)在石墨基體表面沉積了一層碳化硅(SiC)膜。采用掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜分析(EDS)對(duì)膜層斷面的顯微結(jié)構(gòu)和元素組成進(jìn)行了觀察和分析,采用金相顯微鏡和表面粗糙度輪廓儀對(duì)膜層的表面微觀形貌和表面粗糙度進(jìn)行了觀察和測(cè)試,采用排水法對(duì)膜層密度進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果表明,采用密度1.88g/cm^3、三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為79.30MPa的高致密度、高強(qiáng)度石墨作為基體材料時(shí),在優(yōu)化的CVD工藝條件下制備的SiC膜層密度為3.193g/cm^3,氣孔率為0.50%,膜層表面粗糙度Ra=1.0157μm。