表面限域效應下的區(qū)域選擇性脫氫環(huán)化合成納米石墨烯分子

編號：NMJS07253

篇名：表面限域效應下的區(qū)域選擇性脫氫環(huán)化合成納米石墨烯分子

作者：劉鳴華

關鍵詞： 分子電子學 合成過程 石墨烯 區(qū)域選擇性 納米 脫氫環(huán)化 限域效應 有機半導體材料

機構： 中國科學院化學研究所

摘要： 納米石墨烯作為一類重要的有機半導體材料在分子電子學、自旋電子學和光電子學中有著廣泛的應用前景1–3�；瘜W家利用設計的分子前驅體在溶液中自下而上地合成了眾多具有不同尺寸和邊界結構的納米石墨烯分子4,為精細調(diào)控納米石墨烯的電學性質(zhì)提供了途徑。但是溶液法合成過程經(jīng)常受到副反應的影響,限制了目標產(chǎn)物的產(chǎn)率和提純5,6。