石墨烯在GaN表面的直接制備及其在GaN-LED中的應用研究

編號：NMJS07346

篇名：石墨烯在GaN表面的直接制備及其在GaN-LED中的應用研究

作者：樊星 郭偉玲 熊訪竹 董毅博 王樂 符亞菲 孫捷

關鍵詞： 石墨烯 化學氣相沉積 直接生長 GaN-LED

機構： 北京工業(yè)大學光電子技術省部共建教育部重點實驗室 福州大學場致發(fā)射國家地方聯合工程實驗室

摘要： 石墨烯具有優(yōu)良的光電特性,它能夠替代傳統(tǒng)的ITO材料用作GaN-LED的透明導電層。為了使上述應用實現工業(yè)化生產,利用熱壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生長的最佳條件,解釋了直接生長的機理,直接生長的最佳條件為生長溫度800℃,生長時間60 min,CH4和H2的分壓比分別為1.59%和3.17%,該條件下得到具有明顯2D峰的多層石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低溫生長并制造了相應的GaN-LED,測試了其性能,結果表明生長溫度高于700℃時器件的性能明顯降低。該研究對實現石墨烯在LED中的工業(yè)化應用具有積極意義。